类型：智能功率模块(IPM)
　　拓扑结构：三相逆变桥
　　额定集电极电流(Ic)：1800A
　　最大集电极-发射极电压(Vce)：1200V
　　IGBT芯片技术：先进的沟道型IGBT4技术
　　热阻(Rth)：0.027 K/W（结到散热器）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：双面散热（DSC）封装
　　短路耐受能力：6倍额定电流持续10μs
　　绝缘等级：符合IEC 60664-1标准，爬电距离≥8mm
　　控制电源电压：15V DC
　　驱动方式：集成驱动电路
　　保护功能：过流、短路、过温、欠压保护

SKIIP1813GB123-3DUL具备多项先进特性，首先，其采用了赛米控独有的双面散热（DSC）封装技术，使得模块的散热效率大幅提升，从而允许模块在更高功率密度下运行，同时减少了对散热器的要求，降低了整体系统成本。此外，该模块内置了完整的保护机制，包括过流保护、短路保护、过温保护和欠压锁定，确保在各种恶劣工况下依然能够稳定运行。
　　模块的IGBT采用第四代沟道型技术（IGBT4），具有更低的导通压降和开关损耗，提高了系统的整体能效。同时，该模块的封装设计优化了电磁兼容性（EMC），减少了高频开关过程中可能引起的电磁干扰，提高了系统的稳定性和可靠性。
　　其集成的驱动电路支持高速开关操作，提高了动态响应能力，适用于高性能变频器和伺服驱动器等应用。此外，模块内部的PCB布局经过优化，确保了低寄生电感，从而减少了开关过程中的电压尖峰，提高了系统的耐用性和寿命。

该模块广泛应用于需要高功率密度和高可靠性的工业系统中，如高性能电机驱动、工业变频器、伺服系统、UPS不间断电源、风能和太阳能逆变系统等。其高效的能量转换能力和良好的热管理性能，使其成为现代工业自动化和绿色能源系统中的关键组件。

SKIIP1813GB123-3DUL的替代型号包括SEMIKRON的其他高功率IPM模块，如SKIIP1813GB122-3DUL、SKIIP1813GB124-3DUL等，这些型号在额定电流或特定功能上略有不同，可根据具体应用需求进行选型。