SKHHCRA010是一款高性能的功率MOSFET芯片,适用于高效率电源转换和电机驱动等应用。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有较低的导通电阻和优秀的开关特性,能够在高频工作条件下保持高效能表现。
这款芯片广泛用于消费电子、工业控制以及汽车电子领域,能够显著降低系统的功耗并提高可靠性。
型号:SKHHCRA010
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(VDS):60V
最大栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):30A
导通电阻(RDS(on)):1.5mΩ
栅极电荷(Qg):45nC
开关速度:快速
封装形式:TO-247
SKHHCRA010具备以下主要特性:
1. 极低的导通电阻RDS(on),可有效减少传导损耗,提升整体效率。
2. 快速的开关性能,适合高频应用环境,有助于减小系统体积。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的耐受力。
4. 内置ESD保护电路,提升了产品在实际使用中的抗静电能力。
5. 符合RoHS标准,环保且无铅设计,满足全球市场的法规要求。
该芯片适用于多种电力电子应用场景:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器的核心功率器件。
3. 电动工具及家用电器内的电机驱动。
4. 工业自动化设备中的负载切换与控制。
5. 汽车电子中的启动与停止系统、电池管理系统(BMS)等。
其高效的能源转换能力和稳定性使其成为这些领域的理想选择。
IRFP2907, FDP5800, STP170N10F5