晶体管类型：NPN型双极晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：1200V
　　最大集电极电流（IC）：60A
　　最大功耗（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：模块封装（如双列直插式或功率模块封装）
　　增益（hFE）：根据具体工作条件，通常在5至50之间
　　导通压降（VCEsat）：约1.8V至2.5V（典型值）

SKFT60/12DT的主要特性之一是其高压承受能力，能够支持高达1200V的集电极-发射极电压，适用于高压电力电子系统。此外，该晶体管的最大集电极电流可达60A，使其适合高功率输出的应用。该器件采用模块化封装设计，具有良好的散热性能和机械稳定性，能够在高电流和高温条件下长时间稳定运行。其增益（hFE）在不同工作点下变化较小，提供了较为稳定的放大性能。同时，该晶体管的导通压降较低，有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。此外，SKFT60/12DT还具备较强的短路和过载承受能力，增强了系统的可靠性。
　　另一个重要特性是其良好的热管理和绝缘性能，模块封装通常采用绝缘基板，确保了晶体管在高压环境下的安全使用。该器件还具有较低的热阻，使得热量能够迅速从芯片传导至散热器，从而延长器件的使用寿命。此外，SKFT60/12DT的封装设计支持快速安装和拆卸，便于维护和更换。这些特性使得该晶体管在高功率应用中表现出色，广泛用于电力电子变换器、电机控制和高功率开关电源等系统中。

SKFT60/12DT广泛应用于高功率电子设备中，如工业电机驱动器、逆变器、焊接电源、UPS（不间断电源）系统、电能质量调节装置以及大功率开关电源等。其高压高电流特性也使其适用于铁路牵引系统、电动车辆的电力控制系统以及智能电网相关设备。在电机控制领域，该晶体管可用于构建高效率的变频器，实现对电机转速和扭矩的精确控制。在电源管理方面，SKFT60/12DT可以作为主开关器件用于构建高效DC-AC或DC-DC变换器。此外，该器件还可用于高频加热设备、激光电源和医疗设备中的高压电源系统。

SKM60GB12T4, FZ600R12KE3, FZ600R12KE4, FF600R12KE4