晶体管类型：NPN双极型晶体管阵列
　　集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　增益带宽积（fT）：1GHz
　　电流增益（hFE）：110（最小值）
　　封装类型：DFN8
　　工作温度范围：-40°C至+150°C

SKFT110/08DS 具备优异的高频性能，其增益带宽积高达1GHz，使其适用于高频放大和射频信号处理应用。
　　该器件中的每个晶体管均具有高电流增益（hFE）特性，确保信号在放大过程中保持较高的保真度和稳定性。
　　采用DFN8封装形式，具有较小的占板面积，有利于实现高密度PCB布局，并具备良好的热性能和机械稳定性。
　　器件的低噪声系数使其在射频和模拟前端电路中表现出色，特别是在低噪声前置放大器设计中。
　　此外，SKFT110/08DS 在设计上优化了晶体管之间的匹配性能，使其在差分放大、混频器等应用中表现出良好的一致性与对称性。

SKFT110/08DS 主要应用于射频通信系统中的低噪声放大器（LNA）、混频器和振荡器电路中。
　　该器件也常用于音频放大器的前置级、模拟信号处理电路以及高速开关电路中。
　　在无线基础设施设备中，如基站、Wi-Fi接入点和物联网（IoT）设备，SKFT110/08DS 能够提供稳定的高频性能，确保信号传输的可靠性。
　　由于其紧凑的封装和低功耗特性，该器件也适用于便携式电子设备和电池供电系统中的射频前端模块。
　　在测试测量设备和工业控制系统中，SKFT110/08DS 可用于构建高精度的信号调理电路。

BFP640FHX、BFQ19、BFU520FHX、BFU550