晶体管类型：NPN 双晶体管
　　集电极-发射极电压（Vce）：100 V
　　集电极-基极电压（Vcb）：100 V
　　发射极-基极电压（Veb）：5 V
　　集电极电流（Ic）：100 mA
　　功耗（Ptot）：300 mW
　　电流增益（hFE）：110 - 800（取决于测试条件）
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-363

SKET210/18E 具有多个关键特性，使其在多种电子应用中表现出色。首先，该器件内部集成两个独立的 NPN 晶体管，能够有效减少 PCB 板上的空间占用并简化电路设计。每个晶体管具有较高的电流增益（hFE），在不同工作条件下可提供稳定的放大性能，适用于需要高精度信号放大的场合。
　　其次，该晶体管具有高达 100 MHz 的过渡频率（fT），适合用于中高频放大电路，如射频前端和音频放大器。此外，SKET210/18E 的最大集电极-发射极电压为 100 V，能够承受较高的电压应力，适用于需要较高耐压能力的开关和放大电路。
　　该器件采用 SOT-363 表面贴装封装，便于自动化生产和焊接，适用于现代电子制造工艺。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于工业级和汽车电子等要求较高环境适应性的应用场景。
　　此外，SKET210/18E 具有较低的噪声系数，适合用于前置放大器和低噪声信号处理电路。其功耗较低，在 300 mW 范围内，有助于提升系统能效并减少散热需求。

SKET210/18E 主要应用于以下领域：音频放大器中的前置放大级和驱动级；射频（RF）电路中的信号放大和混频器；传感器接口电路中的信号调理和放大；工业控制系统中的开关和驱动电路；消费类电子产品中的音频和信号处理模块；以及汽车电子系统中的传感器信号放大和控制电路。
　　由于其高集成度和良好的电气性能，SKET210/18E 在便携式设备中特别适合用于节省空间并提高电路的可靠性。此外，该器件也常用于需要高频率响应的通信设备和无线模块中。

BC847BDS, BC857BDS, MMBT3904LT1G, 2N3904, 2N2222A