类型：功率MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　最大漏源电压（VDS）：140V
　　导通电阻（RDS(on)）：约28mΩ（典型值）
　　封装形式：TO-247
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　漏源击穿电压（BVDSS）：140V
　　功耗（PD）：160W
　　封装类型：单管封装

SKDH60/14具有优异的电气性能和热稳定性，适用于高频率开关应用。其低导通电阻减少了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件具有良好的抗过载能力和短路保护性能，能够在恶劣的工作环境下稳定运行。SKDH60/14采用了先进的平面工艺制造，确保了器件的可靠性和长寿命。其TO-247封装形式提供了良好的散热性能，适用于大功率应用。此外，该器件的栅极驱动要求较低，可以与多种控制器配合使用，简化了电路设计。
　　SKDH60/14的另一个显著特点是其快速的开关速度，使其适用于高频开关电源和DC-DC转换器。该器件的开关损耗较低，有助于提高电源转换效率并减少发热。此外，SKDH60/14具有良好的热循环稳定性，能够在高温环境下长时间运行而不影响性能。其封装设计优化了热阻，使得热量能够更有效地散发，延长了器件的使用寿命。
　　在实际应用中，SKDH60/14表现出色的抗干扰能力和稳定性。其漏极-源极之间的击穿电压高达140V，能够承受较高的瞬态电压冲击，适用于复杂的工业和汽车电子环境。该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在-10V至+20V之间正常工作，增加了电路设计的灵活性。此外，SKDH60/14具备良好的抗静电能力，避免了在操作和使用过程中因静电放电而导致的损坏。

SKDH60/14广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、工业自动化设备、电动车充电系统以及各类高功率电子设备中。其高电流承载能力和优异的开关特性使其成为高性能电源管理系统中的关键组件。

IRF1405, STP60NF06, FDPF6030AL, IPW60R028C6