SKD210/18 时间：2025/8/23 18:07:05 阅读：22

SKD210/18 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道功率 MOSFET，主要用于高功率应用，如电源开关、电机控制、DC-DC 转换器和电池管理系统等。这款 MOSFET 采用 TO-220 封装，具备良好的热性能和高电流承载能力，适合在各种工业和汽车电子系统中使用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：180V
　　最大漏极电流（Id）：20A（在 Tc=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.18Ω（最大值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V 至 4V
　　最大功率耗散（Ptot）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装：TO-220

特性

SKD210/18 MOSFET 具备低导通电阻和高耐压能力，使其在高电流应用中表现出色。其低 Rds(on) 特性有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具备快速开关能力，适用于高频开关应用，如开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器。
　　该 MOSFET 采用 TO-220 封装，具备良好的散热性能，适用于需要高可靠性的应用场合。其工作温度范围较宽，可以在严苛的环境条件下稳定运行。SKD210/18 还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，增强了其在极端条件下的稳定性。
　　此外，该器件的栅极驱动要求较低，能够与常见的驱动电路兼容，降低了设计复杂性。其高耐用性和稳定的电气性能使其成为工业控制、电机驱动和电源管理等领域的理想选择。

应用

SKD210/18 常用于各种高功率和高频率的应用场景，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制、逆变器、电池管理系统以及工业自动化设备。在汽车电子中，该 MOSFET 可用于车身控制模块、电动助力转向系统（EPS）和车载充电器等应用。此外，它也广泛应用于照明系统、不间断电源（UPS）以及家用电器的电源控制部分。