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SKD210/18 发布时间 时间:2025/8/23 18:07:05 查看 阅读:17

SKD210/18 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道功率 MOSFET,主要用于高功率应用,如电源开关、电机控制、DC-DC 转换器和电池管理系统等。这款 MOSFET 采用 TO-220 封装,具备良好的热性能和高电流承载能力,适合在各种工业和汽车电子系统中使用。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):180V
  最大漏极电流(Id):20A(在 Tc=25°C)
  导通电阻(Rds(on)):0.18Ω(最大值)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2V 至 4V
  最大功率耗散(Ptot):50W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装:TO-220

特性

SKD210/18 MOSFET 具备低导通电阻和高耐压能力,使其在高电流应用中表现出色。其低 Rds(on) 特性有助于减少导通损耗,提高系统效率。此外,该器件具备快速开关能力,适用于高频开关应用,如开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器。
  该 MOSFET 采用 TO-220 封装,具备良好的散热性能,适用于需要高可靠性的应用场合。其工作温度范围较宽,可以在严苛的环境条件下稳定运行。SKD210/18 还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力,增强了其在极端条件下的稳定性。
  此外,该器件的栅极驱动要求较低,能够与常见的驱动电路兼容,降低了设计复杂性。其高耐用性和稳定的电气性能使其成为工业控制、电机驱动和电源管理等领域的理想选择。

应用

SKD210/18 常用于各种高功率和高频率的应用场景,如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电机控制、逆变器、电池管理系统以及工业自动化设备。在汽车电子中,该 MOSFET 可用于车身控制模块、电动助力转向系统(EPS)和车载充电器等应用。此外,它也广泛应用于照明系统、不间断电源(UPS)以及家用电器的电源控制部分。

替代型号

STP20N180K5AG | IRFP460A | FDPF180N15A

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