您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SKD14612L100

SKD14612L100 发布时间 时间:2025/8/22 14:14:55 查看 阅读:29

SKD14612L100是一款由东芝(Toshiba)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)模块,广泛用于高功率应用,如电机控制、工业自动化、电源转换以及电动汽车系统。该器件采用高可靠性的封装设计,具备低导通电阻、高耐压和大电流承载能力,能够在高温和高负载环境下稳定工作。SKD14612L100属于N沟道MOSFET模块,适用于需要高效能和高可靠性的功率电子系统。

参数

类型:功率MOSFET模块
  沟道类型:N沟道
  漏源电压(Vds):100V
  漏极电流(Id):60A
  导通电阻(Rds(on)):典型值1.2mΩ
  封装形式:表面贴装(SMD)
  工作温度范围:-55°C至150°C
  栅极电荷(Qg):180nC
  功耗(Pd):100W

特性

SKD14612L100具备多项优良特性,适用于高功率和高效率的电子系统设计。
  首先,该模块具有极低的导通电阻(Rds(on)),典型值为1.2mΩ,有助于降低导通损耗,提高系统的整体效率。这在高电流应用中尤为重要,能够显著减少发热,提高系统稳定性。
  其次,该器件的漏源电压为100V,最大漏极电流可达60A,具备较强的电压和电流承受能力,适用于高功率密度系统设计。此外,模块内部采用多个MOSFET并联结构,以提高电流容量和热稳定性,同时降低整体热阻,增强散热性能。
  其封装形式为表面贴装(SMD),便于自动化装配,并具备良好的散热能力,适用于高功率密度设计。此外,该模块具有良好的短路耐受能力,可在短时间内承受过载和短路情况,提高系统的可靠性和安全性。
  该模块的工作温度范围宽,从-55°C至150°C,适应各种严苛的环境条件,适用于工业、汽车和通信等高要求领域。
  最后,该模块的栅极电荷(Qg)为180nC,适用于高频开关应用,有助于减小开关损耗,提高系统响应速度。同时,该模块具备良好的抗干扰能力,能够在高噪声环境下稳定运行。

应用

SKD14612L100主要应用于高功率电子系统,如电动车辆的电机控制器、工业伺服驱动器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电焊机、变频器和高压直流电源等。
  在电动汽车领域,该模块可用于电机驱动系统,实现高效的能量转换和稳定的动力输出。其高电流承载能力和低导通损耗,有助于提升整车能效和续航能力。
  在工业自动化中,SKD14612L100可用于伺服电机控制、工业变频器和自动化生产线的电源管理模块,提供高效、稳定、可靠的功率输出。
  在可再生能源系统中,如太阳能逆变器和风能变流器,该模块能够实现高效的DC-AC转换,提高能源利用率,满足绿色能源系统对高效率功率器件的需求。
  此外,该模块也适用于高功率电源设备,如通信电源、数据中心服务器电源和高频开关电源,满足现代电子设备对高效率、小型化和高可靠性的需求。

替代型号

TK60A100W, IPW60R012, STP60NF06, IRF1404, SiR142DP

SKD14612L100推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价