时间：2025/8/23 17:54:49
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SKD115/12 是一款由东芝（Toshiba）制造的功率晶体管，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该器件专门设计用于高功率和高频率应用，具备低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性等特点。SKD115/12 常用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动器和工业自动化设备等电子系统中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：120V
最大漏极电流（Id）：15A（连续）
导通电阻（Rds(on)）：约0.045Ω（典型值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.5V至4.0V
最大功率耗散（Pd）：125W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220或TO-247
漏极-源极击穿电压（BVdss）：120V
SKD115/12 MOSFET 具备多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，高漏极电流能力（15A连续）使其能够承受较大的负载电流，适用于高功率密度设计。此外，该器件的高开关速度有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。SKD115/12 还具备良好的热稳定性，能够在较高温度下稳定工作，增强了其在严苛环境下的可靠性。其TO-220或TO-247封装形式提供了良好的散热性能，并便于安装和使用。最后，该MOSFET具备较高的击穿电压（120V），能够在较高的电压环境下安全运行，避免过电压损坏。
SKD115/12 主要应用于需要高功率和高效率的电子系统中。例如，在电源管理领域，它常用于DC-DC转换器、同步整流器和开关电源（SMPS）中，以提高能量转换效率并减少热量产生。在工业自动化和电机控制领域，该MOSFET可用于驱动直流电机、步进电机和其他高功率负载，提供稳定的功率输出。此外，它还广泛应用于电池管理系统（BMS）、逆变器、UPS（不间断电源）以及电动工具和电动汽车的电源控制系统。由于其优异的开关性能和热管理能力，SKD115/12 也适用于高频逆变器和音频放大器设计。
TK115E12K,TTPF120N15K,TTPF150N15K
