时间：2025/8/22 21:08:28
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SKD115/08 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的双极型晶体管（BJT）阵列器件，属于达林顿晶体管组合。该器件由两个 NPN 型达林顿晶体管组成，每个晶体管具有高电流增益和较高的集电极电流容量，适用于需要高驱动能力的场合。SKD115/08 采用 16 引脚的 DIP（双列直插）或 SOP（小外形封装）封装形式，适合用于继电器驱动、电机控制、LED 显示屏扫描驱动等应用。
类型：NPN 达林顿晶体管阵列
晶体管数量：2 个独立达林顿对管
集电极-发射极电压（Vce）：30V
集电极最大电流（Ic）：500mA（每个晶体管）
功耗（Ptot）：1.2W
电流增益（hFE）：约 1000（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：16-DIP 或 16-SOP
SKD115/08 的核心优势在于其内置的达林顿晶体管结构，能够提供非常高的电流增益（hFE），通常可以达到 1000 以上，这使得它能够用微弱的基极电流来控制较大的负载电流。该器件的每个晶体管都具有 500mA 的最大集电极电流能力，适用于中等功率应用。
此外，SKD115/08 还集成了基极-发射极电阻，使得该器件可以直接由微控制器或逻辑电路驱动，无需额外的驱动电路。这种设计大大简化了外围电路，提高了系统的可靠性。
SKD115/08 主要用于需要高电流驱动能力的场合，例如步进电机驱动、继电器控制、LED 显示屏的行扫描驱动、小型直流电机控制、打印机和复印机中的执行机构控制等。
ULN2003A, ULN2004A, TIP120, TIP122, L298N
