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SK9GD065 发布时间 时间:2025/8/23 8:14:57 查看 阅读:6

SK9GD065 是一款由 SK 海力士(SK Hynix)制造的动态随机存取存储器(DRAM)芯片。这款DRAM芯片通常用于需要较高存储性能和稳定性的设备,例如网络设备、服务器、工业控制设备以及嵌入式系统等。该芯片提供64MB的存储容量,支持高速数据访问,适用于多种工业级应用。

参数

容量:64MB
  数据速率:166MHz
  工作电压:3.3V
  封装类型:TSOP
  数据总线宽度:16位
  刷新周期:64ms
  访问时间:5.4ns
  温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

SK9GD065 具备多项显著特性,首先其64MB的存储容量适用于需要中等存储密度的应用场景。其高速数据速率达到166MHz,能够满足数据传输速率要求较高的系统需求。该芯片的工作电压为3.3V,这种设计使其具备较好的电源适应性,同时降低功耗以提高系统的稳定性。
  封装形式为TSOP,这种封装方式在空间利用和散热性能上表现优异,适用于嵌入式系统及对空间有限制的应用场景。其16位的数据总线宽度能够提供较宽的数据传输通道,从而提升整体系统的处理能力。64ms的刷新周期能够确保数据在长时间内保持稳定可靠,避免数据丢失问题。
  此外,SK9GD065支持工业级温度范围(-40°C 至 +85°C),使其能够在恶劣的环境条件下稳定运行,非常适合工业控制、通信设备以及汽车电子等应用场景。这种温度范围的适用性显著提升了设备的可靠性和适用性。

应用

SK9GD065 被广泛应用于各种高性能和高可靠性要求的设备中,例如网络路由器、工业控制系统、嵌入式计算平台、通信设备以及智能家电等。由于其高速率和稳定性,它也适合用作图形处理和缓存存储的辅助内存。在工业控制领域,这款芯片能够支持复杂的数据处理任务,同时确保设备在不同环境条件下的稳定性。在通信设备中,SK9GD065 可用于高效的数据缓冲和存储管理,从而提升设备的整体性能。

替代型号

AS4C16M16A2B4-6A, HY57V641620BHP-6B

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SK9GD065产品

SK9GD065参数

  • 晶体管极性:?频道
  • 集电???直流电流:11A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
  • 电压, Vceo:1.2V
  • 封装类型:SEMITOP 2
  • 针脚数:11
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2012)
  • 上升时间:25ns
  • 封装类型:SEMITOP 2
  • 晶体管数:6
  • 最大连续电流, Ic:8A
  • 模块配置:
  • 温度 @ 电流测量:80°C
  • 电压, Vces:600V
  • 表面安装器件:螺丝
  • 隔离电压:2.5kV
  • 集电极电流, Ic 平均值:11A
  • 集电极连续电流, Ic 最大值:8A
  • 饱和电压 Vce sat 典型值:2V