您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SK9DGD065ET

SK9DGD065ET 发布时间 时间:2025/8/23 6:43:58 查看 阅读:13

SK9DGD065ET 是一款由东芝(Toshiba)推出的MOSFET驱动器集成电路(IC),属于高端栅极驱动器类别,常用于高功率和高频率的开关应用中。该IC采用双列直插式封装(DIP)或表面贴装封装(SOP),具备高隔离电压、快速开关响应以及高可靠性的特点。SK9DGD065ET 通常用于驱动MOSFET或IGBT功率器件,适用于电源转换器、电机驱动器、UPS(不间断电源)和工业自动化系统等应用。

参数

工作电压:15V至30V
  输出电流(峰值):±1.5A
  工作频率:最高可达1MHz
  输入信号类型:兼容CMOS/TTL
  隔离电压:2500Vrms(输入与输出之间)
  输出上升/下降时间:典型值15ns/10ns(在18V电源下)
  工作温度范围:-40°C至+125°C
  封装类型:SOP16或DIP16

特性

SK9DGD065ET 具备多项优异特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,该IC具备高隔离电压(2500Vrms),能够有效隔离输入控制电路与高压侧功率器件之间的电位差,提高系统的安全性和抗干扰能力。
  其次,SK9DGD065ET 提供高达±1.5A的峰值输出电流,足以驱动高栅极电容的MOSFET或IGBT,确保快速开关,降低开关损耗,提高电源转换效率。
  其驱动输出具有快速上升和下降时间(典型值分别为15ns和10ns),有助于实现高频开关操作,适用于高频DC-DC转换器和谐振变换器等应用。
  此外,SK9DGD065ET 采用双电源供电方式,高端部分通过自举电路供电,简化了电源设计,降低了外围元件数量,提高了系统集成度。
  该IC还内置欠压锁定保护(UVLO)功能,当电源电压低于设定阈值时自动关闭输出,防止功率器件在非理想条件下工作,从而提升系统稳定性和可靠性。
  最后,SK9DGD065ET 的输入信号兼容CMOS/TTL电平,便于与各种微控制器、PWM控制器或数字信号处理器连接,适用于广泛的应用场景。

应用

SK9DGD065ET 主要用于需要高隔离电压和高驱动能力的功率电子系统中。典型应用包括高功率DC-DC转换器、电机驱动器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、工业自动化设备以及开关电源(SMPS)中的高端MOSFET或IGBT驱动。
  在电机控制应用中,SK9DGD065ET 可用于三相逆变器的高端侧驱动,配合低端驱动器IC实现H桥或半桥结构,提供高效、可靠的电机控制。
  在电源系统中,SK9DGD065ET 可用于同步整流、谐振变换器或LLC转换器中,作为高边开关的驱动元件,确保高效率和稳定运行。
  由于其高可靠性和宽工作温度范围,SK9DGD065ET 也广泛应用于汽车电子、工业控制和新能源领域。

替代型号

SK9DGD065ET 的替代型号包括IR2110、LM5106、Si8261、FAN7380等。这些IC在某些应用中可以替代SK9DGD065ET,但需注意电气参数、封装形式和驱动能力的匹配性。

SK9DGD065ET推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

SK9DGD065ET资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

SK9DGD065ET参数

  • 集电极直流电流:12A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:2V
  • 电压, Vceo:600V
  • 工作温度范围:-40°C 到 +150°C
  • 封装类型:SEMITOP 3
  • 针脚数:36
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2012)
  • 封装类型:Semitop 3
  • 晶闸管/双向晶闸管类型:晶闸管/二极管模块
  • 模块配置:
  • 电压, Vdrm:800V
  • 电压, Vrrm:800V
  • 电流, If @ Vf:20A
  • 电流, Itsm:220A
  • 电流, Itsm (50Hz):220A
  • 结温, Tj 最低:-40°C
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:螺丝