时间：2025/8/23 8:56:31
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SK9BGD065ET 是一款由 Sanken（三研）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换系统中。该器件采用先进的沟槽式栅极结构，具有低导通电阻和高开关性能的特点，适用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理系统等应用领域。该MOSFET采用TO-220封装形式，便于安装和散热。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：100A
导通电阻（RDS(on)）：最大6.5mΩ（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-220
功耗（PD）：300W
栅极电荷（Qg）：约180nC
输入电容（Ciss）：约3200pF
SK9BGD065ET 具有极低的导通电阻，使得在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高系统效率。其先进的沟槽技术不仅优化了导通性能，还提升了高频开关的稳定性。该MOSFET具有较高的雪崩能量承受能力，增强了在突发电压条件下的可靠性。
此外，该器件的封装设计考虑了良好的热管理和机械强度，适用于各种恶劣工作环境。其高栅极稳定性使其适用于多种驱动电路，包括同步整流、逆变器和电动机驱动器。
SK9BGD065ET 还具有较快的开关速度，能够适应高频开关电源的需求，减少开关损耗并提高整体系统效率。此外，该器件具有良好的温度稳定性，能够在高温环境下保持稳定的电气性能。
该器件广泛应用于工业电源、DC-DC转换器、UPS（不间断电源）、电动工具、电动车控制器、逆变器、电池管理系统（BMS）以及各种高功率电子设备中。其高效能和高可靠性使其成为现代电力电子系统中的关键元件。
SiR1000DG、IRFP260N、TK3R1A065D、IPB065N06N
