类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：800V
　　最大漏极电流(Id)：8A
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大功耗(Pd)：125W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为1.0Ω

SK80TAA08具有多项优异的电气特性，首先，它的高耐压能力（800V）使其适用于高电压输入的电源设计，例如离线式电源适配器或工业设备的电源模块。其次，该器件的导通电阻较低，典型值为1.0Ω，能够在工作时减少能量损耗，提高转换效率。
　　此外，SK80TAA08具备良好的热稳定性和散热性能，得益于其TO-220封装结构，使得该MOSFET在高功率运行时仍能维持较低的温度上升。这有助于延长器件的使用寿命并提高系统整体的稳定性。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽（±30V），使其能够与多种驱动电路兼容，包括PWM控制器和微处理器。这种灵活性为设计工程师提供了更多的电路设计自由度。
　　SK80TAA08还具备快速开关特性，适用于高频应用场合。其开关损耗较低，有助于提高电源转换器的开关频率，从而减小外围元件的尺寸，提升系统的功率密度。

SK80TAA08广泛应用于各类高功率电子设备中，例如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、马达驱动电路以及工业自动化控制系统。其高电压和高电流承受能力使其成为开关电源（SMPS）中的理想选择，尤其适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。
　　在家电领域，SK80TAA08可用于变频空调、微波炉和电磁炉等产品的功率控制部分。在工业领域，该器件常用于PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器以及自动化设备的电源管理模块。
　　由于其优异的开关特性和热稳定性，SK80TAA08也适用于UPS（不间断电源）、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备等新兴应用领域。

TK8A50D,T100TAA08