SK80GARL065D 时间：2025/8/22 17:15:07 阅读：6

SK80GARL065D 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高功率密度和高效率应用设计。该器件采用了先进的沟槽栅极和电场缓冲技术，能够提供优异的导通和开关性能。SK80GARL065D 主要用于汽车、工业电机控制、电源转换和可再生能源系统等高功率应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：80A
　　漏源极电压（VDS）：65V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大6.5mΩ（典型值可能为4.5mΩ）
　　封装类型：PowerFLAT 5x6 或 TO-220
　　技术：沟槽栅极+电场缓冲
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C

特性

SK80GARL065D 采用先进的沟槽栅极和电场缓冲技术，提供非常低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通损耗。这种特性使其非常适合用于高效率电源系统，如DC-DC转换器、同步整流器和电机驱动器。此外，该器件具有较高的热稳定性和可靠性，能够在高电流和高温环境下稳定工作。
　　其封装形式（如PowerFLAT 5x6）具有优异的热性能和空间利用率，适合在紧凑型设计中使用。此外，SK80GARL065D 具有良好的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定，从而提高系统的整体可靠性。
　　该MOSFET还具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高系统效率。其栅极电荷（Qg）较低，适合高频开关应用。同时，该器件的短路耐受能力较强，能够在异常情况下提供更高的安全性。

应用

SK80GARL065D 主要应用于汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）、车载充电器（OBC）和DC-DC转换器。在工业领域，它可用于电机驱动、伺服控制器和不间断电源（UPS）。此外，该器件还适用于可再生能源系统，如太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块。由于其高效率和高可靠性，SK80GARL065D 也广泛用于各种高性能电源管理系统和负载开关应用。