SK8050S 时间：2025/8/23 20:16:49 阅读：6

SK8050S 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。这款晶体管采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻、高开关速度和高可靠性等特点。SK8050S 通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动和电源管理系统等场合。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：8A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤0.55Ω
　　耗散功率（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C

特性

SK8050S 具有多个关键特性，使其适用于各种功率电子应用。首先，它具有较低的导通电阻（Rds(on)），这可以减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其次，SK8050S 的漏源电压为 500V，能够承受较高的电压应力，适用于高压应用场景。此外，该器件支持高达 8A 的连续漏极电流，适合中高功率负载应用。
　　该 MOSFET 还具有良好的热稳定性，封装设计支持良好的散热性能，确保在高功率应用中稳定运行。其栅极驱动电压范围宽，支持常见的 10V 驱动电压，同时也支持较低的驱动电压，适用于多种控制电路。SK8050S 在设计上采用了先进的沟槽式 MOSFET 工艺，优化了开关性能，降低了开关损耗，从而提高了整体能效。

应用

SK8050S 常用于多种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、负载开关、逆变器和功率因数校正（PFC）电路等。它适用于需要高效率、高可靠性和高功率密度的工业自动化设备、电源适配器、LED 照明驱动器以及新能源系统（如太阳能逆变器和储能系统）等应用场合。此外，SK8050S 也可用于高频电源转换系统，以满足现代电子产品对高效能和节能的需求。