SK8033JD 时间：2025/8/23 14:38:27 阅读：4

SK8033JD是一款由SK（萨科微）微电子推出的标准N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽工艺制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高效率和优异的热稳定性，适用于多种电源管理和功率转换应用。SK8033JD封装形式为TO-252（DPAK），适合表面贴装，广泛用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电池管理系统中。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：100A（@TC=100℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：≤3.3mΩ（@VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：100W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

SK8033JD采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有极低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。在高电流应用中，这种低RDS(on)特性能够显著降低导通压降，从而减少发热并提升设备的可靠性。
　　该器件支持高达100A的连续漏极电流，在TO-252封装下表现出色，适合高功率密度设计。其±20V的栅源电压耐受能力使其在高噪声环境中具有更好的稳定性，避免因栅极电压尖峰导致的误触发或损坏。
　　SK8033JD的工作温度范围为-55℃至+175℃，适用于工业级和汽车电子应用。其封装形式为TO-252（DPAK），便于表面贴装和散热管理，适合自动化生产流程。
　　此外，该器件具有优异的热稳定性，能够在高负载条件下长时间稳定运行，适用于电机驱动、电源开关和电池管理系统等要求苛刻的应用场景。

应用

SK8033JD广泛应用于各类功率电子设备中，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制器和电池管理系统（BMS）。在电源管理领域，该器件可用于高效能电源模块和开关电源（SMPS）设计。其高电流能力和低导通电阻也使其适用于电动工具、无人机和工业自动化设备中的电机驱动电路。此外，在新能源汽车和储能系统中，SK8033JD可用于电池充放电控制和能量管理系统。