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SK75GD12T4TP11 发布时间 时间:2025/8/22 16:31:45 查看 阅读:5

SK75GD12T4TP11 是一款由赛米控(SEMIKRON)制造的高功率IGBT模块,广泛用于电力电子系统中,如变频器、电机驱动和可再生能源系统。该模块集成了多个IGBT芯片和反并联二极管,具有高效、高可靠性和低导通压降的特点。

参数

类型:IGBT模块
  额定集电极-发射极电压(VCES):1200V
  额定集电极电流(IC):75A
  短路耐受电流:150A
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  封装形式:双列直插式封装(DIP)
  安装方式:PCB安装
  绝缘等级:加强绝缘
  封装尺寸:符合SEMIKRON标准模块封装
  热阻(Rth):根据散热条件不同有所变化

特性

SK75GD12T4TP11模块采用先进的IGBT4芯片技术,具备低导通损耗和开关损耗,适用于高频开关应用。模块内部集成了NTC温度传感器,可用于实时监测模块温度,提高系统安全性。此外,该模块具有良好的热稳定性和机械强度,适用于恶劣工作环境。其封装设计优化了电磁兼容性(EMC),降低了电磁干扰。模块的引脚设计支持快速安装和高可靠性连接,适用于工业级应用。

应用

SK75GD12T4TP11广泛应用于工业变频器、伺服驱动器、光伏逆变器、UPS不间断电源以及电动汽车充电系统等功率电子设备中。由于其高集成度和优良的热性能,该模块也适用于对空间和效率有要求的高功率密度设计。

替代型号

SKM75GB12T4、SKM75GB12T4C、SKM75GA12T4、SKM75GB12T4D

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