时间：2025/5/7 11:50:54
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SK75GD12T4T 是一款基于 GaN（氮化镓）技术的功率晶体管，专为高频、高效能的应用场景设计。该器件采用了增强型常闭模式 (e-mode) 的氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT) 技术，能够提供卓越的开关性能和较低的导通电阻，从而显著提升系统效率。
其封装形式为 TO-252 (DPAK)，具有较高的热性能和电气性能，非常适合于高密度功率转换应用。这款芯片广泛应用于开关电源 (SMPS)、DC-DC 转换器、PFC（功率因数校正）电路以及其他需要高性能功率管理的场合。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：12A
导通电阻：120mΩ
栅极阈值电压：2.5V
开关速度：超高速
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
1. 基于先进的氮化镓 (GaN) 半导体技术，提供更高的开关频率和更低的开关损耗。
2. 具有低导通电阻 (Rds(on))，能够降低传导损耗，提高系统效率。
3. 支持高达 600V 的漏源电压，适合多种高压应用场景。
4. 封装紧凑且散热性能优异，有助于简化 PCB 设计并提升系统的功率密度。
5. 内置保护功能，如过温保护和短路保护，增强了器件的可靠性。
6. 工作温度范围宽广，能够在极端环境下保持稳定运行。
7. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
1. 开关电源 (Switching Mode Power Supplies, SMPS)
2. 高效 DC-DC 转换器
3. 功率因数校正 (PFC) 电路
4. 太阳能逆变器中的功率级
5. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的车载充电器
6. 工业电机驱动和 UPS 系统
7. 消费类电子产品中的快充适配器
SK75GD12T4,
SK75GD12T4G
