类型：IGBT模块
　　制造商：SEMIKRON（赛米控）
　　型号：SK75GARL07S5TD1E1
　　封装类型：双列直插式封装（DIP）
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：600V
　　额定集电极电流（IC）：75A
　　导通压降（VCE_sat）：约1.5V（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　短路耐受能力：5μs（典型）
　　热阻（RthJC）：约0.35K/W
　　栅极驱动电压范围：±20V
　　绝缘等级：加强绝缘
　　认证标准：符合RoHS标准

SK75GARL07S5TD1E1 是一款高性能的IGBT功率模块，具有多项优异特性。首先，其最大集电极-发射极电压为600V，额定集电极电流可达75A，适用于中高功率应用。模块内部采用了先进的IGBT芯片技术，确保了较低的导通压降（VCE_sat），从而降低了导通损耗，提高了整体效率。此外，模块具备良好的短路耐受能力，可在极端工况下提供稳定的性能。
　　该模块采用DIP封装形式，便于安装和维护，同时具备良好的散热性能，热阻（RthJC）约为0.35K/W，有助于提高系统的热稳定性。模块还支持宽范围的栅极驱动电压（±20V），增强了其在不同驱动电路中的适应性。
　　SK75GARL07S5TD1E1 的设计符合工业级工作温度范围（-40°C 至 +150°C），可在恶劣环境下稳定运行。此外，模块具备加强绝缘等级，提高了电气安全性，适用于需要高可靠性的工业设备和电力电子系统。

SK75GARL07S5TD1E1 主要应用于工业自动化、电机驱动、变频器、UPS不间断电源、光伏逆变器、电焊机、电动汽车充电设备等高功率电力电子系统中。其优异的电气性能和高可靠性使其成为工业控制和能源转换设备中的理想选择。

SKM75GB07T4V1R, SKM75GB12T4V1R, SKM100GB12T4V1R