SK70KQ12 是一款由东芝(Toshiba)推出的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)功率器件,主要设计用于高效率的功率转换应用。该器件属于N沟道增强型MOSFET,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及各类工业和消费类电子产品中的功率控制部分。SK70KQ12以其低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性而著称,能够有效降低功率损耗并提高系统的整体效率。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流(ID):70A
最大漏-源电压(VDS):120V
导通电阻(RDS(on)):1.2mΩ(典型值)
栅极阈值电压(VGS(th)):2~4V
最大功耗(PD):150W
封装形式:TO-247
SK70KQ12 MOSFET具备多项优异的电气和物理特性,使其在各种高功率应用中表现出色。
首先,其极低的导通电阻(RDS(on))为1.2mΩ,显著降低了导通状态下的功率损耗,从而提高了系统的能效。这一特性尤其适用于高电流应用,如电动车辆的功率管理系统和高性能计算设备的电源模块。
其次,该器件支持高达70A的漏极电流,并具有120V的最大漏-源电压能力,能够承受较高的电压和电流应力,适用于要求高可靠性和稳定性的工业环境。此外,其快速的开关特性使其能够在高频条件下工作,进一步提高了功率转换效率。
在热性能方面,SK70KQ12采用了高效的散热封装设计(TO-247),有助于在高负载条件下保持较低的工作温度,从而延长器件的使用寿命并提高系统的稳定性。
此外,该MOSFET的栅极阈值电压范围为2~4V,使得其能够与多种类型的驱动电路兼容,包括常见的CMOS和TTL逻辑电平控制器。这种灵活性使得SK70KQ12能够广泛应用于各种功率控制和转换电路中。
SK70KQ12广泛应用于多个领域的功率电子系统中。在电源管理方面,它常用于高效DC-DC转换器、同步整流器和负载开关,以实现更高的能效和更小的系统尺寸。在电机控制和驱动器设计中,SK70KQ12可以作为高侧或低侧开关,用于驱动直流电机、步进电机以及无刷直流电机(BLDC)控制器。
此外,该器件也适用于工业自动化设备中的功率模块,如变频器、伺服驱动器和UPS(不间断电源)系统。由于其高可靠性和耐久性,SK70KQ12也常被用于新能源领域,如太阳能逆变器和电动车充电模块。
消费类电子产品中,SK70KQ12可用于高性能电源适配器、LED照明驱动器以及大功率移动设备的充电管理电路。
TK70S120U,TOSHIBA TK70S120U