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SK70GAR063D 发布时间 时间:2025/8/22 15:16:24 查看 阅读:4

SK70GAR063D 是一款由 Sanken(三垦电气)制造的功率晶体管,属于MOSFET类型。该器件主要用于需要高功率和高频率性能的电子电路中,例如电源转换器、电机控制、照明系统以及工业自动化设备等。SK70GAR063D 设计为N沟道MOSFET,具备较低的导通电阻和较高的开关速度,适合在高效率电源管理系统中使用。

参数

类型:N沟道
  最大漏极电流(ID):70A
  最大漏-源电压(VDS):600V
  导通电阻(RDS(on)):0.063Ω
  最大功耗(PD):300W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-247
  栅极电荷(Qg):130nC
  输入电容(Ciss):1800pF

特性

SK70GAR063D 是一款高性能的N沟道MOSFET,具有低导通电阻和高耐压能力,能够实现高效的功率转换。其0.063Ω的导通电阻有效降低了导通损耗,提高了系统的整体效率。同时,该MOSFET的漏-源耐压达到600V,能够在高电压环境下稳定工作。
  该器件采用了先进的平面技术,具备优异的热稳定性和可靠性。TO-247封装形式不仅提供了良好的散热性能,还能适应高功率应用的需求。此外,SK70GAR063D 的开关速度较快,能够满足高频电源转换器的要求,从而减小电源系统的体积并提高响应速度。
  这款MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性,确保在极端工作条件下的稳定运行。其广泛应用于各种电力电子设备中,如开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、不间断电源(UPS)、照明镇流器和电机驱动器等。

应用

SK70GAR063D 常用于高功率和高频率的电源管理系统中。典型应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC整流器、逆变器、不间断电源(UPS)系统、工业电机控制、LED照明驱动电路以及各种电力电子设备中的功率开关元件。该器件适用于需要高效能和高可靠性的应用场合。

替代型号

SK70GAR063D 可以被 IXFH70N60P、IRFP460LC、STW88N60M2、FDPF6N60或TK2P60W等型号替代。这些MOSFET器件具有类似的电气特性和封装形式,适用于相同的应用场景。

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