时间：2025/8/23 16:03:40
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SK70725PE 是一款由 Samsung 生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及其他需要高效能功率开关的场合。该器件采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适用于高效率、高密度电源系统的设计。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：120A（在 VGS=10V）
导通电阻（RDS(on)）：最大 2.5mΩ（在 VGS=10V）
功率耗散（PD）：150W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：PowerPAK SO-8 双散热
SK70725PE 具有多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。其次，该 MOSFET 采用了先进的沟槽式工艺，使得在保持高性能的同时，具有较小的封装尺寸，适合高密度的 PCB 设计。
此外，SK70725PE 具有较高的电流承载能力，能够承受瞬时大电流冲击，适用于需要高电流输出的应用场景，如服务器电源、VRM（电压调节模块）和 DC-DC 转换器。其 PowerPAK SO-8 封装形式具备双散热路径，能够有效降低热阻，提高热稳定性，确保在高负载条件下稳定运行。
SK70725PE 适用于多种高功率和高效率的电子系统，包括但不限于以下应用：服务器和通信设备的电源模块、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机控制电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适合用于需要高效能功率转换的场合。
Si7490DP, NexFET CSD87350Q5D, IRF6719PbF
