SK70725PE 是一款由 Samsung 生产的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及其他需要高效能功率开关的场合。该器件采用先进的沟槽式技术,具有低导通电阻(RDS(on))和高电流承载能力,适用于高效率、高密度电源系统的设计。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(VDS):30V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):120A(在 VGS=10V)
导通电阻(RDS(on)):最大 2.5mΩ(在 VGS=10V)
功率耗散(PD):150W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装形式:PowerPAK SO-8 双散热
SK70725PE 具有多个关键特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了整体系统效率。其次,该 MOSFET 采用了先进的沟槽式工艺,使得在保持高性能的同时,具有较小的封装尺寸,适合高密度的 PCB 设计。
此外,SK70725PE 具有较高的电流承载能力,能够承受瞬时大电流冲击,适用于需要高电流输出的应用场景,如服务器电源、VRM(电压调节模块)和 DC-DC 转换器。其 PowerPAK SO-8 封装形式具备双散热路径,能够有效降低热阻,提高热稳定性,确保在高负载条件下稳定运行。
SK70725PE 适用于多种高功率和高效率的电子系统,包括但不限于以下应用:服务器和通信设备的电源模块、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统(BMS)、电机控制电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其低导通电阻和高电流能力,该器件特别适合用于需要高效能功率转换的场合。
Si7490DP, NexFET CSD87350Q5D, IRF6719PbF