SK60GAR123 时间：2025/8/23 13:21:20 阅读：6

SK60GAR123 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET晶体管，属于N沟道增强型场效应晶体管。这款MOSFET专为高功率应用而设计，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及工业自动化设备等场景。SK60GAR123以其低导通电阻、高耐压和优良的热稳定性著称，能够在较高的工作温度下保持稳定性能。

参数

型号：SK60GAR123
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　漏源极击穿电压（VDS）：100V
　　栅源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为18mΩ（典型值为14mΩ）
　　封装形式：TO-247
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　最大功耗：200W
　　漏极-源极电容（Coss）：约1200pF
　　栅极电荷（Qg）：约130nC

特性

SK60GAR123 的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗并提高整体系统的效率。此外，该器件具有高耐压能力，漏源极电压可达100V，能够承受较大的电压波动，从而增强系统的稳定性和可靠性。其高栅极电荷特性使其适用于高功率开关应用，但同时也需要注意驱动电路的设计以保证快速且稳定的开关性能。
　　该MOSFET采用TO-247封装，具备良好的散热性能，能够在高电流和高温度环境下保持正常工作。此外，SK60GAR123的高温工作能力（最高可达175°C）使其适用于恶劣环境条件下的工业和汽车应用。
　　该器件还具有良好的抗雪崩能力，能够在短时过载或瞬态电压冲击下保持安全运行，从而延长器件的使用寿命。其封装设计也便于安装散热片，进一步提升散热效率。

应用

SK60GAR123 常用于高功率开关电源（SMPS）中，作为主开关或同步整流器使用，以提高电源转换效率。此外，它广泛应用于DC-DC转换器、UPS（不间断电源）、电机驱动器和电动车控制系统中，尤其适用于需要高效率、高可靠性和高功率密度的场合。
　　在工业自动化领域，SK60GAR123可用于变频器、伺服电机控制和高功率LED照明驱动电路。在汽车电子系统中，如车载充电器（OBC）和电动助力转向系统（EPS），该MOSFET也能提供稳定的功率控制性能。