类型：肖特基二极管
　　封装：SOD-123
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：50V
　　最大直流阻断电压（VR）：50V
　　最大RMS电压（VRMS）：35V
　　最大平均整流电流（IO）：2A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：50A（8.3ms单半正弦波）
　　最大正向电压降（VF）：600mV @ 1A（典型值），800mV @ 1A（最大值）
　　最大反向漏电流（IR）：100μA @ 50V（25°C），500μA @ 50V（125°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　热阻（JA）：约200°C/W（自由空气条件）

SK55C的核心优势在于其低正向导通压降与高速开关能力的结合。由于采用肖特基势垒结构，其正向压降通常仅为0.6V左右，在1A电流下即可显著降低导通损耗，提升电源系统的整体效率。这对于电池供电设备或高密度电源设计尤为重要，因为更低的压降意味着更少的能量转化为热量，从而减少了散热需求并延长了设备运行时间。
　　另一个关键特性是几乎可以忽略的反向恢复时间。传统PN结二极管在从导通状态切换到截止状态时会产生明显的反向恢复电荷，导致开关损耗增加和电磁干扰（EMI）升高。而SK55C作为多数载流子器件，不存在少数载流子的储存效应，因此在高频开关应用中能够实现更快的响应速度和更低的动态损耗，适合用于频率高达数百kHz甚至MHz级别的开关电源拓扑结构，如Buck、Boost和Flyback转换器。
　　该器件具有良好的热稳定性，能够在-55°C至+150°C的宽结温范围内可靠工作，适应严苛的环境条件。其SOD-123封装不仅体积小巧，便于高密度布局，而且具备一定的机械强度和焊接可靠性。此外，SK55C还能承受高达50A的峰值浪涌电流，使其在面对输入端突然上电或负载突变等瞬态工况时仍能保持安全运行。
　　在实际应用中，设计者需注意其相对较高的反向漏电流，尤其是在高温环境下，漏电流会随温度指数级增长，可能影响待机功耗或轻载效率。因此，在高温或高阻抗电路中使用时应进行适当评估，并考虑添加限流或泄放路径。总体而言，SK55C是一款兼顾性能、尺寸与成本的理想选择，适用于多种中低压直流电源系统中的整流与续流功能。

SK55C广泛应用于各类需要高效、快速整流的电子电路中。最常见的用途是在开关模式电源（SMPS）中作为输出整流二极管，特别是在低压大电流输出的DC-DC转换器中，其低正向压降可显著减少功率损耗，提高转换效率。例如，在Buck降压电路中，SK55C常被用作续流二极管，确保电感电流在主开关关闭时有连续通路，防止电压尖峰损坏其他元件。
　　在AC-DC适配器、手机充电器、笔记本电脑电源等消费类电子产品中，SK55C可用于次级侧整流环节，替代传统快恢复二极管以提升能效等级。同时，由于其小型化封装特性，非常适合用于空间紧凑的便携式设备内部电源模块。
　　该器件也常见于逆变器和UPS不间断电源系统中，执行能量回馈和极性保护功能。在太阳能充电控制器或LED驱动电源中，SK55C可用于防止电池反向放电或实现升压拓扑中的能量传递路径控制。
　　此外，SK55C还可用于信号解调、钳位电路、电压隔离以及各类嵌入式系统的电源轨保护设计中。在电机驱动电路中，它可以作为续流二极管为感性负载提供反电动势泄放通道，避免MOSFET或IGBT因过压而损坏。
　　由于其具备一定的浪涌承受能力，SK55C也适用于存在启动冲击电流的应用场景，如热插拔电路或带容性负载的电源输入端。总之，只要涉及中低电压、较高频率的整流或续流需求，SK55C都是一种经济且高效的解决方案。

SS54
　　MBR2545
　　SB260
　　1N5822
　　AP2204S-5.0TRG1