SK45WT16 时间：2025/8/23 15:05:20 阅读：5

SK45WT16 是一款由东芝（Toshiba）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和开关电路中。该器件采用了先进的沟槽式技术，提供了较低的导通电阻和优异的开关性能。SK45WT16 特别适用于高效率的DC-DC转换器、电机控制、负载开关以及电池供电设备等应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：45A（最大值）
　　漏极-源极电压（VDS）：160V（最大值）
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V（最大值）
　　导通电阻（RDS(on)）：约45mΩ（典型值）
　　功率耗散（PD）：80W（最大值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

SK45WT16 MOSFET具有多项优异的电气和热性能，首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通状态下的功率损耗，从而提高整体系统效率。其次，该器件的高电压耐受能力（160V VDS）使其适用于中高压电源转换系统。此外，SK45WT16 采用先进的封装技术，具备良好的热管理和散热性能，能够在高负载条件下保持稳定运行。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围宽广（±20V），允许使用标准的栅极驱动器进行控制，同时内部结构优化，降低了开关过程中的能量损耗。其高可靠性设计也使其能够在恶劣环境下稳定工作，如高温、振动或湿度较高的工业环境。
　　另外，SK45WT16 采用了表面贴装（SMD）封装，便于自动化生产，减少PCB空间占用，提高整体系统的集成度。这种封装形式也有助于提升散热效率，满足高功率密度设计的需求。

应用

SK45WT16 MOSFET广泛应用于多种电力电子系统中，包括但不限于：高效率的DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、负载开关、电源管理模块、工业控制系统以及新能源设备（如太阳能逆变器和电动车电源系统）。由于其优异的导通和开关性能，该器件特别适合需要高效率、高可靠性和紧凑设计的电源系统。