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SK45MAHT12 发布时间 时间:2025/8/22 17:22:02 查看 阅读:4

SK45MAHT12 是一款由 Samsung(三星)公司生产的功率半导体器件,属于金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)类别。该晶体管主要用于需要高效能和高可靠性的电力电子应用中,如电源转换器、电机驱动器和照明系统等。SK45MAHT12 采用先进的封装技术,能够在高电压和高电流条件下稳定工作,同时具备较低的导通电阻和较高的开关速度,从而提高了整体的能效。此外,该器件的设计考虑了散热性能,以确保在高负载条件下仍能保持较低的工作温度。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):45A
  最大漏源电压(VDS):12V
  导通电阻(RDS(on)):2.8mΩ
  最大功率耗散:120W
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装类型:TO-220
  栅极电荷(Qg):65nC
  短路耐受能力:有

特性

SK45MAHT12 MOSFET 的核心特性之一是其低导通电阻(RDS(on)),这使得器件在导通状态下能够减少能量损耗,提高整体系统的效率。该特性对于需要频繁开关操作的应用尤为重要,因为它能够减少开关过程中的能量损失。
  另一个显著特性是其高电流承载能力,SK45MAHT12 能够在连续工作条件下承受高达45A的漏极电流,这使其非常适合用于大功率应用,如直流电机控制、高功率LED照明系统和开关电源等。
  该器件的封装设计也经过优化,采用 TO-220 封装形式,具备良好的散热性能。这种封装方式不仅有助于将热量有效地从芯片传导到散热器,还能在高功率密度应用中保持较低的工作温度,从而提高器件的稳定性和寿命。
  此外,SK45MAHT12 具有较高的短路耐受能力,这意味着在异常工作条件下,例如负载短路时,器件能够在短时间内承受过大的电流而不损坏,从而提高了系统的可靠性和安全性。
  该MOSFET还具备较低的栅极电荷(Qg),这有助于减少开关过程中的能量损耗,从而提高开关速度和效率。这一特性对于高频开关应用尤为重要,因为高频操作通常会增加开关损耗并影响整体效率。

应用

SK45MAHT12 MOSFET 主要应用于需要高效率、高可靠性和高功率密度的电子系统中。常见应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、电池管理系统(BMS)以及工业自动化控制系统等。
  在开关电源中,SK45MAHT12 作为主功率开关器件,用于实现高效的能量转换,能够满足现代电源对高效率、小体积和高稳定性的要求。
  在电机控制应用中,该MOSFET用于驱动直流电机或无刷直流电机(BLDC),其高电流承载能力和快速开关特性使其非常适合用于高性能电机控制系统。
  此外,SK45MAHT12 也可用于太阳能逆变器和电池管理系统中,作为关键的功率开关元件,确保能量的高效转换与管理。
  在汽车电子领域,该器件常用于车载电源系统、LED照明驱动器以及电动车辆的电池管理系统中,其高可靠性和耐高温特性使其能够适应复杂的车载环境。

替代型号

[
   "IRF3710",
   "FDP45N12",
   "SiHF45N12"
  ]

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