SK36TR是一款由Sanken(三研)公司生产的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源管理和功率转换应用。该器件设计用于高效能、低损耗的开关操作,适用于各种需要高电流和高电压耐受能力的电子系统。SK36TR具有优异的热性能和电气特性,是工业电源、DC-DC转换器、电机控制等应用的理想选择。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):20V
最大漏极电流(Id):120A
导通电阻(Rds(on)):约2.9mΩ(典型值)
功耗(Pd):150W
工作温度范围:-55°C至175°C
SK36TR MOSFET采用了先进的沟槽式MOSFET技术,提供了极低的导通电阻(Rds(on)),从而降低了导通损耗并提高了系统效率。这种低Rds(on)特性使得该器件在大电流应用中表现出色,减少了发热并提高了可靠性。
此外,SK36TR具有高电流承载能力,能够在高负载条件下稳定工作。其最大漏极电流可达120A,适合用于高功率密度设计。该器件的热阻较低,有助于快速散热,从而确保在高功率应用中的长期稳定性。
SK36TR还具有良好的栅极电荷特性,降低了开关损耗,使其适用于高频开关应用。这有助于提高电源转换器的工作效率,并减少外围元件的尺寸,从而实现更紧凑的设计。
封装方面,SK36TR采用了TO-263(D2PAK)封装形式,具有良好的热管理和机械稳定性。这种封装形式支持表面贴装工艺,适用于自动化生产流程,同时也便于散热器的安装。
SK36TR广泛应用于多种电力电子系统中,包括但不限于以下领域:
1. DC-DC转换器:由于其低导通电阻和高效率特性,SK36TR非常适合用于升压(Boost)或降压(Buck)转换器中,以实现高效的能量转换。
2. 电源管理系统:在服务器、通信设备和工业控制设备的电源模块中,SK36TR可用于负载开关、稳压器和电流控制电路。
3. 电机控制:该器件可作为H桥电路中的开关元件,用于控制直流电机或步进电机的速度和方向。
4. 电池管理系统(BMS):SK36TR可用于电池充放电管理电路中,提供高可靠性的开关控制。
5. 逆变器和UPS系统:在不间断电源(UPS)或太阳能逆变器中,SK36TR可用于高频开关电路,实现高效的能量转换。
Si4410BDY-T1-GE3, IRF1405, FDP3632, SK30TBL, SK30TBR