制造商: IXYS
　　产品类型: 肖特基二极管模块
　　材料: 碳化硅（SiC）
　　结构: 双路共阴极（Dual Common Cathode）
　　最大正向电流（IF）: 35A
　　最大反向电压（VR）: 1200V
　　正向电压降（VF）: 典型值约1.6V（在35A时）
　　反向漏电流（IR）: 最大值为100μA（在125℃时）
　　工作温度范围: -55℃ ~ 175℃
　　封装类型: DIP（通孔封装）
　　绝缘等级: 陶瓷绝缘

SK35DGDL12T4ETE2 的核心优势在于其采用碳化硅（SiC）材料，这使其在高温、高电压环境下依然保持出色的性能表现。与传统硅基肖特基二极管相比，碳化硅二极管在高温下漏电流更小，热管理更简单。此外，SK35DGDL12T4ETE2 的双路共阴极配置使其适用于多种拓扑结构，例如交错式PFC（功率因数校正）电路和双相整流电路，能够有效降低EMI（电磁干扰）并提高系统效率。该模块还具备优异的雪崩能量承受能力，提高了系统在异常情况下的可靠性。
　　另一个显著特点是其封装设计，采用工业级DIP封装，具备良好的机械稳定性和散热性能，适合在高振动或高应力环境下使用。同时，模块内部采用陶瓷绝缘材料，确保了高绝缘强度和长期可靠性。SK35DGDL12T4ETE2 还具有快速开关特性，可显著减少开关损耗，提高系统效率并支持更高频率的操作。

SK35DGDL12T4ETE2 主要应用于高效率功率转换系统，包括但不限于以下领域：工业级AC-DC电源模块、太阳能光伏逆变器、电动汽车充电系统、不间断电源（UPS）、电焊机、电机驱动器和储能系统。由于其高反向耐压（1200V）和良好的热稳定性，该器件在需要高可靠性和高效率的电力电子系统中表现出色，尤其是在需要在高温环境下稳定运行的应用中。其双路共阴极结构也使其特别适合用于多相整流、交错式PFC电路和双向DC-DC转换器中。

SK35DGDL12T4EPE2, SKM35GB12T4EPE2, SK35GB12T4EPE2