类型：双肖特基二极管
　　配置：共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流反向电压（VR）：30V
　　最大平均整流电流（IO）：300mA
　　峰值浪涌电流（IFSM）：500mA
　　正向电压（VF）：典型值0.3V @ 0.5mA，最大值0.55V @ 10mA
　　反向漏电流（IR）：最大值0.1μA @ 25°C，10μA @ 85°C
　　反向恢复时间（trr）：典型值4ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOD-323（SC-76）
　　安装方式：表面贴装（SMT）

SK34-13-F的核心优势在于其低正向导通压降和快速开关响应，这使其在低电压、高效率的应用场景中表现尤为出色。该器件的正向电压在低电流条件下可低至0.3V左右，显著低于传统PN结二极管，从而有效降低功率损耗，提高电源转换效率。这种特性特别适用于电池供电设备，如智能手机、可穿戴设备和物联网终端，有助于延长续航时间。
　　另一个关键特性是其超快的反向恢复时间（trr），典型值仅为4纳秒。这一指标意味着SK34-13-F能够在高频开关电路中迅速关闭，减少反向恢复电荷带来的能量损耗和电磁干扰（EMI）。因此，它非常适合用于高频DC-DC转换器、同步整流辅助电路以及高速信号整形电路中。
　　SK34-13-F采用共阴极配置的双二极管结构，允许两个独立的肖特基二极管共享同一个阴极端子，这种设计简化了PCB布线，尤其适用于需要对称信号处理或双路检测的电路拓扑。例如，在USB接口的VBUS检测和过压保护电路中，SK34-13-F可以同时处理正负方向的瞬态电压抑制需求。
　　该器件的小型化SOD-323封装不仅节省空间，还具备良好的热传导性能。尽管封装尺寸微小，但其热阻参数经过优化，能够在有限的空间内有效散热，确保长时间工作的稳定性。此外，SOD-323封装符合RoHS环保标准，无铅且兼容现代回流焊工艺，适合自动化大规模生产。
　　SK34-13-F还表现出优异的温度稳定性。在高温环境（如85°C）下，其反向漏电流仍能控制在较低水平（最大10μA），避免因漏电流增大而导致的误触发或功耗上升问题。这一特性使其在工业级应用和汽车电子中也具有一定的适用性。

SK34-13-F广泛应用于各类需要高效、小型化和高频响应的电子系统中。在便携式消费类电子产品中，它常用于电池充电管理电路中的防反接保护和路径控制，确保电源路径的安全切换。例如，在锂电池供电设备中，SK34-13-F可用于隔离主电源与备用电源，防止倒灌电流导致电池损耗。
　　在电源管理系统中，SK34-13-F被用作DC-DC变换器中的续流二极管或自举二极管，特别是在同步整流架构中辅助MOSFET完成能量回馈过程。其低VF特性有助于提升整体转换效率，减少发热，适用于升压、降压及升降压拓扑结构。
　　通信设备中，SK34-13-F常用于信号检波、限幅和箝位电路。例如，在射频前端模块中，它可以作为包络检波器的一部分，提取调制信号的幅度信息。同时，由于其快速响应能力，也可用于高速数字信号的电平钳位，防止过冲或下冲损坏后级IC。
　　在接口保护方面，SK34-13-F可用于USB、HDMI等高速接口的静电放电（ESD）防护和电压箝位。虽然它不是专用ESD器件，但其快速响应和低电容特性可在一定程度上吸收瞬态脉冲，提升系统鲁棒性。
　　此外，SK34-13-F还适用于传感器信号调理电路、LED驱动电路以及各种模拟开关应用中，作为隔离或导向元件使用。其高可靠性和宽温工作范围也使其在汽车电子、工业控制和医疗设备中有一定应用前景。

MBR032-30-M3/84
　　SMS3403BT1G
　　BAT54C-WT
　　RB520S-30T1G
　　PMG3904