类型：肖特基二极管
　　封装：SMA (DO-214AC)
　　平均正向整流电流(IF(AV))：3A
　　最大重复峰值反向电压(VRRM)：30V
　　峰值正向浪涌电流(IFSM)：80A（8.3ms单半正弦波）
　　直流阻断电压(VR)：30V
　　最大正向压降(VF)：0.52V @ 1A, 0.90V @ 3A
　　最大反向漏电流(IR)：0.5mA @ 25°C, 30V；10mA @ 125°C, 30V
　　工作结温范围(TJ)：-55°C 至 +125°C
　　储存温度范围(Tstg)：-55°C 至 +150°C
　　热阻结至环境(RθJA)：约70°C/W（依PCB布局而定）
　　反向恢复时间(trr)：典型值 < 10ns

SK33B的核心优势在于其低正向导通压降和极快的开关响应速度。由于采用肖特基势垒结构，其正向压降在1A电流下仅为0.52V左右，在3A满载时也控制在0.9V以内，相比传统硅PN结二极管（VF约0.7V~1.2V）具有明显的导通损耗优势。这一特性使其在大电流、低电压输出的电源系统中能够显著提升整体效率，减少发热，降低散热设计难度。尤其在DC-DC降压变换器中作为续流二极管使用时，低VF意味着更少的能量以热量形式耗散，有助于提高转换效率并延长系统寿命。
　　另一个关键特性是其极短的反向恢复时间（trr），通常小于10纳秒。由于肖特基二极管是多数载流子器件，不存在PN结中的少数载流子存储电荷问题，因此在从导通状态切换到截止状态时几乎没有反向恢复电流尖峰。这一特性极大减少了开关过程中的电磁干扰（EMI）和电压振荡，提高了系统的电磁兼容性（EMC）表现。同时，快速的开关能力使其适用于高达数百kHz甚至MHz级别的高频开关电源拓扑，如同步整流替代方案（在非同步Buck电路中）、太阳能充电控制器、LED驱动电源等。
　　SK33B还具备良好的热稳定性和可靠性。其工作结温可达+125°C，能够在高温环境下持续工作，适用于工业控制、车载电子等严苛应用场景。封装采用符合RoHS标准的无铅材料，具备良好的焊接可靠性和机械强度。尽管其反向漏电流随温度升高而显著增加（例如在125°C时可达10mA），但通过合理设计散热路径和控制环境温度，仍可在大多数应用中安全使用。此外，该器件具备80A的峰值浪涌电流承受能力，能够在瞬态过流或开机冲击下保持稳定，增强了系统的鲁棒性。

SK33B广泛应用于各类中低电压、大电流的整流与保护电路中。在开关模式电源（SMPS）中，常被用作次级侧整流二极管，尤其是在输出电压低于12V的DC-DC转换器中，其低正向压降优势尤为突出，可有效提升电源效率。在非同步降压（Buck）转换器中，SK33B作为续流二极管，承担电感电流的续流路径，在主开关管关断期间维持电流连续性，其快速恢复特性可减少开关节点的振铃现象，降低能量损耗和噪声辐射。
　　在电池供电系统中，SK33B可用于防止电池反接或外部电源反灌，起到防反保护作用。例如，在便携式设备、电动工具、UPS不间断电源中，将其串联在电源输入端，可确保电流只能单向流动，保护后级电路免受损坏。此外，在太阳能光伏系统中，该器件可用作旁路二极管，防止部分遮挡引起的热斑效应，或作为防逆流二极管，阻止夜间电池向光伏板反向放电。
　　SK33B也常见于电机驱动、继电器驱动等感性负载电路中，作为续流二极管（Flyback Diode）抑制感性元件断电时产生的反电动势，保护驱动晶体管或MOSFET不受高压击穿。在汽车电子中，虽然其30V耐压限制了在12V系统中的直接使用（需考虑瞬态电压），但在某些辅助电源或稳压模块中仍有应用空间。此外，该器件还可用于信号整流、电压钳位、逻辑电平隔离等模拟和数字混合电路中，发挥其快速响应和低损耗的优势。

SR330
　　SS33
　　MBR330
　　B530CB
　　SB330