SK30B100DBL3 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,专为高功率应用设计。该模块采用了先进的沟槽栅场截止(Trench Field Stop)技术,提供高效能的功率转换和低导通损耗。它广泛应用于工业电机驱动、变频器、逆变器和电源系统等领域。
类型:IGBT模块
额定集电极-发射极电压(VCES):100 V
额定集电极电流(IC):30 A
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
封装类型:双列直插封装(DIP)
短路耐受能力:支持
导通压降:约1.7 V @ 30 A
关断能量损耗(Eoff):约 2.5 mJ @ IC=30A, VCE=400V
热阻(Rth):约 0.6 K/W
SK30B100DBL3 的核心优势在于其出色的导通和开关性能。采用先进的沟槽栅场截止技术,有效降低了导通压降,同时保持了较低的关断损耗,使其在高频开关应用中表现出色。
此外,该模块具备良好的短路耐受能力,增强了系统在异常工况下的可靠性。内置的反向并联二极管也优化了续流性能,提高了整体效率。
其坚固的封装设计和优异的热管理能力,使其适用于高温度环境下的长期稳定运行。模块的封装符合 RoHS 标准,支持环保应用需求。
SK30B100DBL3 常用于各种中高功率电力电子设备中,如工业变频器、伺服驱动器、不间断电源(UPS)、电焊机、感应加热系统以及新能源领域的光伏逆变器和电动汽车充电系统。其高效能和高可靠性的特点使其成为现代功率电子系统中不可或缺的元件。
SK25B100DBL3, SKM30B100DBL3, FF30B100DSM1_H12