SK300DA100DG 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高功率开关应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高耐压和高电流能力,广泛应用于工业控制、电源管理和电机驱动等领域。
类型:功率MOSFET
极性:N沟道
漏源电压(Vds):100V
连续漏极电流(Id):30A
导通电阻(Rds(on)):50mΩ(最大值)
栅极电荷(Qg):120nC
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
SK300DA100DG 的主要特点之一是其极低的导通电阻,这有助于降低功率损耗并提高系统效率。该器件在高温下仍能保持稳定的工作性能,具有良好的热稳定性和热阻能力。其高电流承载能力和高耐压设计使其适用于高功率密度和高可靠性的应用场合。
此外,该MOSFET采用了先进的封装技术,提供了优异的散热性能,确保在高负载条件下的长期可靠性。其快速开关特性有助于减少开关损耗,提高系统的响应速度和整体性能。SK300DA100DG 还具备较高的短路耐受能力,能够在极端条件下提供更好的保护性能。
在驱动方面,该MOSFET的栅极电荷较低,使得驱动电路的设计更加简单,并降低了驱动损耗。其封装设计也支持并联使用,以满足更高功率需求的应用场景。
SK300DA100DG 常用于工业电源、电机驱动器、DC-DC转换器、不间断电源(UPS)、电池管理系统(BMS)以及各种高功率电子设备中。由于其高效率和高可靠性,它也适用于需要频繁开关操作的高频电源转换应用。在电动汽车和可再生能源系统中,该器件可以用于逆变器和充电控制电路,以实现高效的能量转换和管理。
STP30NF10, IRF1404, FDP3030BL