时间：2025/8/23 8:19:06
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SK10DGDL12T4ET 是一款由 Semikron（赛米控）制造的 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，广泛应用于高功率电子设备中，例如变频器、逆变器和电机控制系统。该模块设计用于高效能和高可靠性，具有优异的导通和开关性能，同时具备低损耗和高热稳定性。IGBT 模块结合了MOSFET的简单驱动特性和双极型晶体管的低导通压降优点，是工业电力电子领域中常见的核心组件。
类型：IGBT 模块
最大集电极-发射极电压 (Vce)：1200V
最大集电极电流 (Ic)：10A
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
封装类型：双列直插式（DIP）
安装类型：通孔安装
功耗：低导通压降（典型值 1.7V）
短路耐受能力：有
最大工作频率：典型值 20kHz
SK10DGDL12T4ET 的主要特性包括高性能的 IGBT 芯片技术，确保低导通损耗和高效的开关性能。该模块采用先进的封装技术，增强了散热能力，从而在高功率密度应用中保持稳定的工作温度。模块内部集成了续流二极管，以提高电路设计的灵活性和效率。此外，SK10DGDL12T4ET 设计上具备良好的抗短路能力和高鲁棒性，适合用于对可靠性要求较高的工业环境。其双列直插式封装设计简化了 PCB 布局，同时也便于散热器的安装和维护。
该模块还具备良好的电气隔离性能，确保了在高压应用中的安全性。其封装材料具有高耐压性和抗湿热性能，能够在恶劣的环境条件下保持长期稳定性。此外，SK10DGDL12T4ET 的内部结构优化了电磁干扰（EMI）性能，有助于减少系统设计中的噪声问题。
SK10DGDL12T4ET 主要应用于需要高效率和高可靠性的功率转换系统，如交流电机驱动器、工业变频器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和电动汽车充电设备等。其优异的导通和开关性能使其在中高功率应用中表现出色，特别适合需要频繁开关操作的场合。此外，该模块也适用于需要快速响应和高动态性能的控制系统，例如伺服驱动器和电焊设备。
SK10DGDL12T4E
