时间：2025/8/4 21:15:36
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SK100EL11WD 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率电源转换系统。该器件采用先进的沟槽栅极和屏蔽栅极技术，具有低导通电阻和高开关性能的特点，广泛应用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及电池管理系统等场合。SK100EL11WD 采用表面贴装封装，便于在高密度PCB设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：100A
最大漏-源电压：30V
导通电阻（Rds(on)）：5.9mΩ（典型值）
栅极电压：10V
最大功耗：160W
封装形式：LFPAK56
SK100EL11WD 采用了先进的屏蔽栅极技术，有效降低了开关损耗并提高了器件的稳定性。其低导通电阻（Rds(on)）特性使其在高电流应用中表现出色，减少了导通损耗，提高了整体能效。该MOSFET具有良好的热管理性能，能够在高负载条件下保持较低的工作温度，从而延长器件寿命并提高系统可靠性。此外，SK100EL11WD 的封装设计优化了电流路径，减小了寄生电感，进一步提升了高频开关性能。
这款MOSFET支持快速开关操作，适用于高频率的DC-DC转换器设计。其栅极驱动电压范围适中，可与常见的控制器和驱动器兼容，简化了电路设计。同时，SK100EL11WD 在过热和过流条件下具有一定的耐受能力，增强了系统的稳定性。表面贴装封装形式（LFPAK56）不仅节省空间，还提高了焊接可靠性和热传导效率，非常适合自动化生产和高可靠性应用。
SK100EL11WD 主要用于需要高效能功率转换的电子设备中，如服务器电源、电信设备、工业自动化系统、电动工具以及电动车电池管理系统。由于其优异的导通和开关性能，该MOSFET在同步整流电路中表现出色，能够显著提高电源转换效率。此外，它也可用于负载开关和电机控制电路中，提供快速响应和稳定的工作性能。在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，SK100EL11WD 也能发挥重要作用。
SK100EL11W, SK100E11W, SK100EL12W
