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SJD12C58L01 发布时间 时间:2025/7/9 23:11:26 查看 阅读:5

SJD12C58L01是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,主要用于开关和功率控制应用。该器件采用先进的制造工艺,在确保低导通电阻的同时,提供快速开关特性和高可靠性,广泛应用于电源管理、电机驱动以及各种工业电子设备中。
  这款芯片以N沟道增强型设计为主,适用于高频开关场景,并通过优化栅极电荷来降低开关损耗,从而提高整体效率。

参数

类型:N沟道增强型 MOSFET
  最大漏源电压Vds:60V
  最大栅源电压Vgs:±20V
  持续漏极电流Id:43A
  导通电阻Rds(on):4.5mΩ(典型值,Vgs=10V时)
  栅极电荷Qg:70nC(典型值)
  反向恢复时间trr:45ns(典型值)
  工作温度范围Tj:-55℃ 至 +175℃

特性

SJD12C58L01具有以下主要特点:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗并提升系统效率。
  2. 快速开关性能,适合高频应用场景。
  3. 高雪崩能力,能够承受过载条件下的能量冲击。
  4. 小尺寸封装,便于电路板布局和集成。
  5. 良好的热稳定性和可靠性,能够在极端温度范围内正常运行。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

该器件适用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. 电机驱动电路中的功率级元件。
  3. 工业自动化设备中的负载切换。
  4. 汽车电子系统的电源管理模块。
  5. 充电器及适配器的设计与实现。
  6. 各类逆变器和转换器的核心功率组件。

替代型号

SJD12C58L02, SJD12C58L03, IRF540N, FDP159N06L

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SJD12C58L01参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格15,000 : ¥0.46812卷带(TR)
  • 系列SJD12A(C)XXXL01
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 类型齐纳
  • 单向通道-
  • 双向通道1
  • 电压 - 反向断态(典型值)58V
  • 电压 - 击穿(最小值)64.4V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)93.6V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs)2.3A
  • 功率 - 峰值脉冲200W
  • 电源线路保护
  • 应用通用
  • 不同频率时电容-
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳DO-219AA
  • 供应商器件封装SOD-123S