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SJD12C08L01 发布时间 时间:2025/7/3 21:43:51 查看 阅读:7

SJD12C08L01是一款基于硅基技术的高压MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和功率转换等场景。该器件具有低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低功率损耗并提升系统性能。
  该芯片采用了先进的沟槽式工艺制造,确保了更高的电流密度和更低的热阻。同时,其封装设计紧凑,非常适合对空间要求较高的应用环境。

参数

型号:SJD12C08L01
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):650V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大漏极电流(Id):12A
  导通电阻(Rds(on)):0.08Ω
  功耗(Ptot):140W
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

SJD12C08L01的核心优势在于其出色的电气性能和可靠性:
  1. 低导通电阻Rds(on),有助于减少导通状态下的功率损耗。
  2. 快速开关特性,适合高频应用场景。
  3. 内置ESD保护功能,提高了芯片在恶劣环境下的抗干扰能力。
  4. 高耐压能力(高达650V),适用于多种高压应用场合。
  5. 先进的封装技术确保了较低的热阻,从而提升散热性能。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

SJD12C08L01主要应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换电路。
  2. 电机驱动控制,如直流无刷电机(BLDC)和步进电机。
  3. 太阳能逆变器中的功率调节模块。
  4. LED驱动电源的设计。
  5. 工业自动化设备中的功率管理部分。
  6. 各种需要高效功率开关的应用场景。

替代型号

SJD12C08L02, SJD12C08L03, IRFZ44N

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SJD12C08L01参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格15,000 : ¥0.46812卷带(TR)
  • 系列SJD12A(C)XXXL01
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 类型齐纳
  • 单向通道-
  • 双向通道1
  • 电压 - 反向断态(典型值)8V
  • 电压 - 击穿(最小值)8.89V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)13.6V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs)14.7A
  • 功率 - 峰值脉冲200W
  • 电源线路保护
  • 应用通用
  • 不同频率时电容-
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳DO-219AA
  • 供应商器件封装SOD-123S