SJ5302AL BUMPON 是一款由Sanken Electric(三垦电气)制造的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用先进的沟槽式工艺制造,具备低导通电阻、高功率密度和优异的开关性能。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备等场合。SJ5302AL采用了BUMPON封装技术,这是一种通过凸块(bump)实现芯片与基板连接的封装方式,具有优异的电气性能和热管理能力。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):60A
最大漏-源电压(VDS):30V
导通电阻(RDS(on)):6.5mΩ(典型值)
栅极阈值电压(VGS(th)):1.5V ~ 2.5V
最大栅极电压(VGS):±20V
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:BUMPON
SJ5302AL BUMPON MOSFET采用了先进的BUMPON封装技术,这种封装方式不同于传统的引线键合,而是通过硅芯片背面的凸块直接连接到基板,从而显著降低寄生电感,提高电流承载能力和开关速度。该器件的低导通电阻(RDS(on))为6.5mΩ,使其在高电流工作条件下能够保持较低的功率损耗,提升系统效率。此外,BUMPON封装还具有优异的热传导性能,有助于快速将芯片热量传导至PCB,改善热管理。
在电气性能方面,SJ5302AL具有较高的电流密度和较低的开关损耗,适用于高频开关应用。其栅极阈值电压范围为1.5V至2.5V,适用于多种驱动电路,包括低电压逻辑控制器。该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和过热保护性能,提高了在严苛环境下的可靠性。此外,其±20V的栅极耐压能力使其在高噪声环境中也能保持稳定工作。
SJ5302AL BUMPON MOSFET适用于多种高功率密度和高频开关应用。常见应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统(BMS)、电动工具、无人机电源系统、工业自动化设备以及服务器电源模块。其低导通电阻和高电流能力使其成为需要高效能和高可靠性的电源管理系统的理想选择。此外,由于其BUMPON封装结构的优异热性能,该器件也适用于空间受限且需要高散热效率的设计,例如便携式电子设备和高密度电源模块。
Si7490DP, IRF6717, NexFET CSD87350Q5D, FDMS86101