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SISS94DN-T1-GE3 发布时间 时间:2025/5/8 8:53:11 查看 阅读:16

SISS94DN-T1-GE3是一款基于硅技术的超高速开关二极管,适用于高频和高效率的应用场景。它采用先进的制造工艺,具备低正向电压降、快速反向恢复时间和低漏电流等特性,广泛用于电源管理、信号处理和其他高频电子设备中。
  该型号中的'T1'代表其封装形式为DO-214AC(单列直插式),而'GE3'则是批号或生产标准的标记,表明符合工业级要求。

参数

类型:开关二极管
  最大正向电流(If):2A
  峰值反向电压(Vrrm):60V
  正向电压降(Vf,典型值@1.0A):0.8V
  反向恢复时间(Trr):35ns
  工作结温范围(Tj):-55℃至+175℃
  封装:DO-214AC(SMB)

特性

SISS94DN-T1-GE3的主要特点是其超快的反向恢复时间,仅为35纳秒,这使其非常适合高频开关应用。此外,该器件还具有非常低的正向电压降,在大电流条件下能够减少功率损耗,提高整体效率。
  其工作温度范围宽广,可以在极端环境下稳定运行,同时具备较高的峰值反向电压(60V),确保在各种电路条件下的可靠性。
  该二极管还拥有较低的漏电流,从而减少了不必要的能量浪费,并且通过优化设计实现了更长的使用寿命。

应用

这款二极管主要应用于高频开关电源、脉宽调制(PWM)控制器、DC-DC转换器、逆变器以及各类保护电路中。此外,由于其出色的性能和稳定性,也常被用作同步整流器中的关键元件。
  在消费类电子产品中,如笔记本电脑适配器、手机充电器以及其他便携式设备的电源模块中,SISS94DN-T1-GE3也有着广泛应用。
  另外,它还适合工业自动化控制领域的高压变频驱动系统以及电信设备中的高效能源管理系统。

替代型号

SISS94DN-T1-G, SISS94DN, MBR260HT3G

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SISS94DN-T1-GE3参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥7.23000剪切带(CT)3,000 : ¥3.08403卷带(TR)
  • 系列TrenchFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5.4A(Ta),19.5A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)7.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)75 毫欧 @ 5.4A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)21 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)350 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)5.1W(Ta),65.8W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PowerPAK? 1212-8S
  • 封装/外壳PowerPAK? 1212-8S