类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：680 V
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：85 A
　　导通电阻 Rds(on)：0.075 Ω @ Vgs=10V
　　导通阈值电压 Vgs(th)：2.1 V 至 3.5 V
　　功耗（Pd）：300 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装：TO-220

SISH85-680 MOSFET 具有多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为 0.075 Ω，这显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件支持高达 85A 的连续漏极电流，适用于高电流负载应用。其栅极驱动电压范围为 ±20V，确保在各种控制条件下稳定运行。
　　这款 MOSFET 的导通阈值电压为 2.1V 至 3.5V，适用于标准的逻辑电平驱动器，同时具备良好的温度稳定性。SISH85-680 的最大漏源电压为 680V，使其适用于高电压功率转换系统，如 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器和逆变器等。
　　在热性能方面，SISH85-680 采用 TO-220 封装，提供了良好的散热性能，能够在高功耗条件下保持较低的结温。该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适应性强，适用于恶劣的工业和汽车环境。此外，它具有较高的耐用性和长期稳定性，确保在关键应用中的可靠性。

SISH85-680 MOSFET 广泛应用于多种高功率电子系统中。首先，它常用于电源管理系统，如服务器电源、电信电源和工业电源模块，其中其高电流能力和低导通电阻有助于提高能效并减少热量产生。其次，该器件适用于电机控制和驱动电路，如直流电机驱动器和步进电机控制器，其高电压和高电流能力确保了在重负载条件下的稳定运行。
　　在太阳能逆变器和储能系统中，SISH85-680 也常被用作开关元件，用于 DC-AC 转换过程，其高耐压能力和低损耗特性有助于提升系统效率。此外，该 MOSFET 还适用于负载开关应用，如电池管理系统和电动工具控制电路，提供可靠的高电流开关功能。
　　在汽车电子领域，SISH85-680 也被用于车载充电器、DC-DC 转换器和电动汽车（EV）动力系统中的功率管理模块，满足汽车应用对高可靠性和宽温度范围的要求。

SiS85N680A, IRF840, FDPF8N60, STW88N65M5, IPW60R070E