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SIS780DN-T1-GE3 发布时间 时间:2025/6/29 10:28:27 查看 阅读:8

SIS780DN-T1-GE3 是一款基于硅集成电路技术设计的芯片,主要应用于网络通信领域。该型号是 SIS780 系列中的一员,专注于提供高速以太网连接能力,适用于千兆以太网环境下的数据传输。其核心功能在于实现高效的数据交换与处理,同时支持多种接口标准,确保兼容性和稳定性。
  SIS780DN-T1-GE3 芯片在设计上注重低功耗和高性能的平衡,广泛用于路由器、交换机以及其他网络设备中。

参数

工艺:CMOS
  封装形式:BGA
  工作电压:3.3V
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃
  数据传输速率:1Gbps
  输入输出数:64
  逻辑门数量:200K gates

特性

SIS780DN-T1-GE3 具备以下显著特性:
  1. 高速数据传输能力,支持千兆以太网标准。
  2. 内置强大的数据包处理引擎,能够有效减少延迟并提升吞吐量。
  3. 支持多种协议,包括 TCP/IP、UDP 等常见网络协议。
  4. 提供灵活的接口选项,可与其他外围设备无缝连接。
  5. 内部集成电源管理模块,有助于降低整体能耗。
  6. 支持热插拔功能,增强了系统的可靠性和可维护性。
  7. 强大的错误检测与纠正机制,确保数据完整性。

应用

SIS780DN-T1-GE3 主要应用于以下领域:
  1. 路由器及交换机中的核心控制单元。
  2. 工业以太网设备,如工业控制器和数据采集系统。
  3. 家庭或企业级网络设备,如宽带接入设备。
  4. 嵌入式系统中的网络接口模块。
  5. 数据中心和服务器环境中的高速互联解决方案。

替代型号

SIS780DN-T1-GC3
  SIS780DN-T1-GD3
  SIS780DN-T1-GF3

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SIS780DN-T1-GE3参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压30 V
  • 闸/源击穿电压20 V
  • 漏极连续电流18 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.011 Ohms
  • 配置Single
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体PowerPAK 1212-8
  • 封装Reel
  • 下降时间9 ns
  • 正向跨导 gFS(最大值/最小值)25 S
  • 栅极电荷 Qg16.3 nC
  • 功率耗散27.7 Watts
  • 上升时间11 ns
  • 典型关闭延迟时间14 ns
  • 零件号别名SIS780DN-GE3