时间：2025/8/2 8:52:05
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SIS413DN-T1-GE3是一款由Vishay Siliconix公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等应用。SIS413DN-T1-GE3采用8引脚表面贴装（SOP）封装，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适合高频操作环境。该MOSFET能够在高电流条件下稳定运行，并具有良好的热性能，适用于高效率和紧凑型设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：20V
连续漏极电流（Id）：6.3A
导通电阻（Rds(on)）：36mΩ @ Vgs=10V
导通电阻（Rds(on)）：50mΩ @ Vgs=4.5V
功率耗散（Pd）：2.5W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：8引脚 SOP
SIS413DN-T1-GE3是一款高性能的N沟道MOSFET，具有低导通电阻，可显著降低导通损耗，提高系统效率。在Vgs为10V时，Rds(on)低至36mΩ，而在Vgs为4.5V时也保持在50mΩ左右，这使得该器件可以在较低的栅极驱动电压下工作，适用于多种电源管理应用。
该MOSFET的连续漏极电流为6.3A，能够在较高的负载条件下稳定运行。同时，其最大漏源电压为30V，栅源电压可达20V，具有较高的电压容忍能力，适合多种应用场景。SIS413DN-T1-GE3的开关速度较快，能够有效减少开关损耗，适用于高频开关电路。
该器件采用8引脚SOP封装，具有良好的散热性能，适合表面贴装工艺，提高了电路板的集成度和可靠性。其工作温度范围为-55°C至150°C，适用于广泛的工业环境。SIS413DN-T1-GE3还具有较低的输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss），有助于提高开关速度并减少驱动电路的负担。
此外，SIS413DN-T1-GE3具备较高的可靠性，符合RoHS环保标准，并通过了多项行业认证，适用于消费类、工业类及汽车电子等多种应用领域。
SIS413DN-T1-GE3广泛应用于多种电子设备和系统中，包括DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关、电机驱动器、电源适配器、UPS系统、工业自动化设备以及便携式电子产品。在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为高边或低边开关，提供高效的能量转换。在电池管理系统中，SIS413DN-T1-GE3可用于控制电池充放电路径，确保系统的安全性和稳定性。在电机控制应用中，该器件可作为功率开关，实现对电机转速和方向的精确控制。此外，SIS413DN-T1-GE3还可用于LED照明驱动、电源管理模块以及各种需要高效、高速开关的场合。
Si4134BDY-T1-GE3, IRF7404, AO4403, FDS4435
