时间：2025/6/9 16:28:06
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SIRS5800DP-T1-GE3 是一款基于硅基技术的高性能射频开关芯片，适用于无线通信系统中的信号切换。该芯片采用先进的 CMOS 工艺制造，具有低插入损耗、高隔离度和快速切换时间的特点，支持高频段应用，广泛用于蜂窝基站、Wi-Fi 设备和其他射频通信领域。
该型号属于 SIR 系列射频开关产品线，其设计注重低功耗与小型化，能够满足现代通信设备对空间优化和能效提升的需求。
类型：单刀双掷 (SPDT) 射频开关
工作频率范围：45 MHz 至 6 GHz
插入损耗：≤ 0.7 dB（典型值）
隔离度：≥ 35 dB（典型值）
VSWR：≤ 1.5:1
切换时间：≤ 2 ns
供电电压：1.8 V 或 3.3 V
静态电流：≤ 1 μA（关断模式下）
封装形式：SOT-89-3
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
SIRS5800DP-T1-GE3 具有以下显著特性：
1. 支持宽广的工作频率范围，可覆盖多种通信频段需求。
2. 高性能的射频指标，包括低插入损耗和高隔离度，确保信号传输质量。
3. 快速切换时间，适合需要高速响应的应用场景。
4. 提供灵活的供电电压选项，便于适配不同的电路设计要求。
5. 超低功耗设计，尤其在关断状态下几乎不消耗电能，延长电池寿命。
6. 小尺寸封装有助于节省 PCB 板空间，简化系统集成过程。
7. 工作温度范围宽泛，适应恶劣环境下的稳定运行需求。
这款射频开关芯片广泛应用于以下领域：
1. 蜂窝基站收发信机中的天线切换。
2. Wi-Fi 路由器及接入点设备中的多通道选择。
3. 移动终端设备内的信号路径管理。
4. 卫星通信系统中前端射频模块的设计。
5. 测试测量仪器内作为信号路由控制单元。
6. 医疗成像设备和工业自动化系统中的高频信号处理部分。
SIRS5800DP-T1-GA3, SIRS5801DP-T1-GE3, SIRS5802DP-T1-GC3
