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SIRA88DP-T1-GE3-G 发布时间 时间:2025/5/30 10:59:50 查看 阅读:11

SIRA88DP-T1-GE3-G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等高效率电力转换场景。该芯片采用先进的沟槽式结构设计,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提升系统的整体效率和可靠性。
  该器件支持大电流连续工作,并且具备出色的热性能,适合对功耗和散热要求较高的应用场合。

参数

型号:SIRA88DP-T1-GE3-G
  类型:N-Channel MOSFET
  VDS(漏源电压):650V
  RDS(on)(导通电阻):70mΩ
  ID(连续漏极电流):140A
  Qg(栅极电荷):90nC
  EAS(雪崩能量):2.5J
  封装形式:TO-247
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

1. 极低的导通电阻 RDS(on),可减少导通损耗,提高系统效率。
  2. 高速开关能力,适用于高频应用场景。
  3. 内置雪崩保护功能,增强器件在异常情况下的鲁棒性。
  4. 支持高电流输出,满足工业级和汽车级应用需求。
  5. 热阻较低,确保在高功率运行时保持稳定的工作状态。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。

应用

1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关管。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流管。
  3. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动控制。
  4. 太阳能逆变器和不间断电源 (UPS) 的功率转换模块。
  5. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统 (BMS) 和电机控制器。
  6. 各类高压、大电流电路中的开关元件。

替代型号

IRFP460, FQP17N65C, STW83N65M5

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