时间：2025/5/30 10:59:50
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SIRA88DP-T1-GE3-G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等高效率电力转换场景。该芯片采用先进的沟槽式结构设计，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提升系统的整体效率和可靠性。
该器件支持大电流连续工作，并且具备出色的热性能，适合对功耗和散热要求较高的应用场合。
型号：SIRA88DP-T1-GE3-G
类型：N-Channel MOSFET
VDS（漏源电压）：650V
RDS(on)（导通电阻）：70mΩ
ID（连续漏极电流）：140A
Qg（栅极电荷）：90nC
EAS（雪崩能量）：2.5J
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55℃ to +175℃
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，可减少导通损耗，提高系统效率。
2. 高速开关能力，适用于高频应用场景。
3. 内置雪崩保护功能，增强器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 支持高电流输出，满足工业级和汽车级应用需求。
5. 热阻较低，确保在高功率运行时保持稳定的工作状态。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关管。
2. DC-DC 转换器中的同步整流管。
3. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动控制。
4. 太阳能逆变器和不间断电源 (UPS) 的功率转换模块。
5. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统 (BMS) 和电机控制器。
6. 各类高压、大电流电路中的开关元件。
IRFP460, FQP17N65C, STW83N65M5
