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SIRA80DP-T1-RE3 发布时间 时间:2025/5/12 12:34:32 查看 阅读:9

SIRA80DP-T1-RE3 是一款基于硅整流技术的高功率整流桥堆,广泛应用于工业和商业电源系统中。该器件能够将交流电转换为直流电,适用于需要大电流和高电压耐受能力的应用场景。它采用了先进的封装工艺以确保良好的散热性能和可靠性,同时具备快速恢复特性和低正向压降。

参数

额定电压:800V
  额定电流:8A
  正向压降:≤1.1V(典型值@If=8A)
  反向恢复时间:20μs(最大值)
  工作温度范围:-40℃至+150℃
  封装形式:TO-220AC

特性

SIRA80DP-T1-RE3 的主要特点是其出色的电气性能和机械设计。首先,它的额定电压高达 800V,可以承受较高的浪涌电压,从而在恶劣环境下依然保持稳定运行。其次,其低正向压降降低了功耗,提高了整体效率。此外,该整流桥堆的快速反向恢复特性减少了开关噪声,非常适合高频电路应用。同时,TO-220AC 封装提供了优秀的散热能力,允许其在较高负载下长期使用而不会过热。
  该器件还具有内置的浪涌保护功能,能够在瞬间高电压冲击下自我保护,延长使用寿命。另外,由于采用了无铅材料制造,SIRA80DP-T1-RE3 符合 RoHS 标准,满足环保要求。

应用

SIRA80DP-T1-RE3 主要用于各种高功率整流场合,例如开关电源、电机驱动器、充电设备以及不间断电源 (UPS) 系统等。其高电压和大电流能力使其特别适合工业自动化领域中的变频器和逆变器设计。此外,在太阳能发电系统中,这款整流桥堆可用于 DC-DC 或 DC-AC 转换阶段,确保高效能量传递。家庭电器如空调、洗衣机也常利用此类元件实现电源管理。

替代型号

SIRA80DP-T1-E3
  SIRA80DP-T2-E3
  SIRA80DP-T2-RE3

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SIRA80DP-T1-RE3参数

  • 现有数量1,571现货
  • 价格1 : ¥12.64000剪切带(CT)3,000 : ¥5.78098卷带(TR)
  • 系列TrenchFET? Gen IV
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)100A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)0.62 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)188 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)+20V,-16V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)9530 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)104W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PowerPAK? SO-8
  • 封装/外壳PowerPAK? SO-8