SIRA14DP 时间：2025/7/18 18:08:53 阅读：26

SIRA14DP 是一款由 Vishay Semiconductors 推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高效率，适用于多种功率管理和电源转换应用。SIRA14DP 采用紧凑的 PowerPAK SO-8 封装，具备良好的散热性能，适合在空间受限的设计中使用。该器件广泛用于负载开关、DC-DC 转换器、电机控制以及电池管理系统等领域。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：20V
　　连续漏极电流（ID）：12A
　　导通电阻（RDS(on)）：23mΩ @ VGS = 10V
　　导通电阻（RDS(on)）：30mΩ @ VGS = 4.5V
　　栅极电荷（Qg）：22nC @ 10V
　　功率耗散（PD）：4.4W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：PowerPAK SO-8

特性

SIRA14DP 具备多项优异特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体效率。在 VGS = 10V 时，RDS(on) 仅为 23mΩ，而在较低的 VGS = 4.5V 时，RDS(on) 也保持在 30mΩ 的低水平，这使其适用于多种驱动条件下的应用。
　　其次，SIRA14DP 的漏源电压（VDS）为 30V，连续漏极电流（ID）可达 12A，能够满足中高功率应用的需求。此外，其栅极电荷（Qg）仅为 22nC，有助于降低开关损耗，提高开关速度，适用于高频开关应用。
　　该器件采用 PowerPAK SO-8 封装，具备优异的热性能和空间效率，适用于紧凑型设计。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，能够在严苛的工业环境和车载应用中稳定运行。SIRA14DP 的高可靠性、低导通电阻和优异的热管理能力，使其成为电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用的理想选择。

应用

SIRA14DP 广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制、工业自动化设备以及车载电子系统。由于其低导通电阻和高电流能力，SIRA14DP 非常适合用于需要高效率和高可靠性的电源转换和功率控制应用。例如，在 DC-DC 转换器中，该器件能够有效减少导通和开关损耗，提高转换效率；在负载开关电路中，它可以提供快速的开关响应和低损耗的电流传输；在电机控制应用中，SIRA14DP 可用于驱动直流电机或步进电机，实现高效的转速和扭矩控制。此外，其宽广的工作温度范围也使其适用于汽车电子系统，如电动助力转向系统（EPS）、车载充电器和电池管理系统等。