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SIRA12DDP-T1-GE3 发布时间 时间:2025/5/23 21:00:02 查看 阅读:17

SIRA12DDP-T1-GE3 是一款基于硅基技术的高性能整流二极管,广泛应用于工业电源、电机驱动和开关电源等领域。该器件采用 TO-252 封装形式,具有低正向压降和高浪涌电流能力的特点,能够有效提升系统的效率和可靠性。
  此型号属于 Vishay 公司生产的肖特基整流二极管系列,适用于高频和大电流的应用场景。

参数

最大工作电压:60V
  最大正向电流:12A
  正向电压(典型值):0.45V
  反向漏电流(最大值,25℃):20mA
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  热阻(结至外壳):40℃/W
  封装形式:TO-252

特性

SIRA12DDP-T1-GE3 的主要特点是其低正向电压降设计,可以显著减少功率损耗,从而提高系统效率。
  此外,它还具备较高的浪涌电流承受能力,确保在异常条件下仍能保持稳定运行。
  由于采用了先进的制造工艺,该二极管具有较低的反向恢复电荷,非常适合高频开关应用。
  它的紧凑型封装形式使得它可以轻松集成到空间受限的设计中,同时提供出色的散热性能。

应用

SIRA12DDP-T1-GE3 主要应用于各种需要高效整流功能的电路中,例如开关模式电源(SMPS)、直流-直流转换器、太阳能逆变器、电机控制器以及电池充电器等。
  此外,由于其出色的浪涌电流处理能力,也常被用于保护电路中以防止瞬态电压对系统造成损害。
  其高频性能使其成为通信设备、消费电子及工业自动化领域中的理想选择。

替代型号

SIR12DP-T1-GE3
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