时间：2025/5/21 19:21:51
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SIR626LDP-T1-RE3 是一款基于硅技术的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的制程工艺，具有低导通电阻和高效率的特点，适合于要求高效能和低功耗的应用场景。其封装形式为 LLP（Leadless Lead Frame Package），能够提供良好的热性能和电气性能。
这款 MOSFET 通常用于 DC/DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电源管理等应用中。它的低导通电阻特性有助于减少传导损耗，从而提高系统的整体效率。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：29A
导通电阻：0.85mΩ
栅极电荷：27nC
开关速度：快
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功率损耗并提升系统效率。
2. 高雪崩能力，增强了器件在异常情况下的耐用性。
3. 快速开关特性，适用于高频开关应用。
4. 小型化的 LLP 封装设计，节省 PCB 空间并优化散热性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 宽泛的工作温度范围，确保在极端环境下的可靠运行。
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC/DC 转换器中的主开关或同步整流开关。
3. 电池供电设备中的负载开关。
4. 各类电机驱动电路。
5. 过流保护及短路保护电路。
6. 工业自动化设备中的电源管理和控制模块。
SIR626DP, SIR628PDP
