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SIR500DP-T1-RE3 发布时间 时间:2025/5/7 13:46:02 查看 阅读:9

SIR500DP-T1-RE3是一款基于硅技术的高功率整流二极管,采用TO-252封装形式。该器件具有较高的正向电流能力和反向恢复时间特性,适合在开关电源、电机驱动以及各类工业电子应用中使用。其设计确保了较低的正向压降和较高的效率,同时具备良好的热性能。

参数

最大正向电流:5A
  峰值反向电压:500V
  正向压降:1.1V(典型值@If=1A)
  结电容:约20pF
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  存储温度范围:-65℃至+175℃

特性

SIR500DP-T1-RE3拥有高耐压能力,可承受高达500V的反向电压,从而在高压环境下保持稳定运行。
  该器件具有快速恢复特性,反向恢复时间为数百纳秒级,适合高频电路中的整流操作。
  其低正向压降降低了功耗,提高了系统效率,并且通过优化的散热设计能够更好地适应高温环境。
  此外,该二极管采用了小型化的表面贴装封装(TO-252),有助于简化PCB布局并提高装配可靠性。

应用

SIR500DP-T1-RE3广泛应用于开关电源(SMPS)、直流电机驱动、逆变器、不间断电源(UPS)以及其他需要高效整流的工业电子设备中。
  它还可以用于续流保护电路和电池充电管理电路中,确保系统的稳定性和安全性。

替代型号

SIR500DP
  SBR50H50PF
  1N5392

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SIR500DP-T1-RE3参数

  • 现有数量7,758现货
  • 价格1 : ¥13.04000剪切带(CT)3,000 : ¥5.96468卷带(TR)
  • 系列TrenchFET? Gen V
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)85.9A(Ta),350.8A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)0.47 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)180 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)+16V,-12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)8960 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)6.25W(Ta),104.1W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PowerPAK? SO-8
  • 封装/外壳PowerPAK? SO-8