SIR494 时间：2025/8/29 14:38:12 阅读：21

SIR494是一款由Vishay Siliconix生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频率开关应用。这款MOSFET采用先进的TrenchFET?技术，具有低导通电阻、高功率密度和良好的热性能，适合用于电源管理和DC-DC转换器等应用。

参数

类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：5.4A
　　导通电阻（Rds(on)）：68mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：1.4W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

SIR494 MOSFET具备多项优越特性，适用于高效能电源系统设计。其导通电阻仅为68mΩ，在10V栅源电压下可提供高效的电流传输，降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件采用TrenchFET?技术，显著提升了单位面积内的性能表现，同时保持较小的封装尺寸，提高了空间利用率。
　　该MOSFET的封装形式为TO-252（DPAK），具有良好的散热性能，确保在高负载条件下依然保持稳定运行。其最大漏源电压为30V，最大连续漏极电流为5.4A，适用于中等功率级别的开关电源、DC-DC转换器以及负载开关控制等应用。
　　在可靠性方面，SIR494的栅极氧化层经过优化设计，可承受高达±20V的栅源电压，防止因电压波动导致的器件损坏。其工作温度范围为-55°C至150°C，适应各种严苛环境条件，保证长期稳定运行。

应用

SIR494主要应用于各种电源管理系统中，包括但不限于同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、电池充电电路、负载开关控制以及电机驱动电路等。其高效的导通性能和良好的热管理能力使其成为电源转换和功率控制领域的理想选择。此外，该MOSFET也广泛用于工业自动化设备、便携式电子设备以及汽车电子系统中的电源管理模块。